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J-GLOBAL ID：201202239466090450   整理番号：12A0140661

アルミナ単結晶の絶縁破壊

Dielectric breakdown of alumina single crystals

著者 (6件)： NEUSEL C. (Hamburg Univ. of Technol., Inst. of Advanced Ceramics, Denickestr. 15, 21073 Hamburg, DEU) ,  JELITTO H. (Hamburg Univ. of Technol., Inst. of Advanced Ceramics, Denickestr. 15, 21073 Hamburg, DEU) ,  SCHMIDT D. (Hamburg Univ. of Technol., Inst. of Advanced Ceramics, Denickestr. 15, 21073 Hamburg, DEU) ,  JANSSEN R. (Hamburg Univ. of Technol., Inst. of Advanced Ceramics, Denickestr. 15, 21073 Hamburg, DEU) ,  FELTEN F. (Robert Bosch GmbH, Corporate Sector Res. and Advance Engineering, Applied Res. 1 - Advanced Functional and Sintered ...) ,  SCHNEIDER G.a. (Hamburg Univ. of Technol., Inst. of Advanced Ceramics, Denickestr. 15, 21073 Hamburg, DEU)
資料名： Journal of the European Ceramic Society  (Journal of the European Ceramic Society)
巻： 32  号： 5  ページ： 1053-1057  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： E0801B  ISSN： 0955-2219  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二つの異なる結晶方位{11-20}面(単結晶A)と{0001}面(単結晶C)を持つアルミナ単結晶のバルク絶縁破壊挙動を調べた。絶縁破壊が達成されるまで平行平面単結晶試料を電気的に負荷した。各結晶方位に対して試料を通して特性破壊経路方向を画定した。C配向結晶の破壊チャネルはC-軸に平行であった。A-配向の結晶の破壊経路は試料の斜め方向に交差し,結晶表面と破壊経路の角度は60°であった。ここで,破壊経路はA面に沿って試料を交差した。一方,AとC結晶の破壊経路は異なるものの観測された絶縁破壊強度は分散範囲で同一であった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *アルミナ ,  *単結晶 ,  *絶縁破壊 ,  *結晶方位 ,  高電圧 ,  負荷 ,  電圧 ,  チャネル ,  絶縁耐力
準シソーラス用語： 絶縁破壊強度 ,  破壊電圧

分類 (2件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (3件)： アルミナ ,  単結晶 ,  絶縁破壊