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J-GLOBAL ID:201202239500339519   整理番号:12A0438952

高効率太陽電池開発に向けて相互拡散過程を用いるP3HT:CdSe/ZnS量子ドットの複層構造から生じる濃度勾配によるバルクヘテロ接合の形成

Bulk heterojunction formation with induced concentration gradient from a bilayer structure of P3HT:CdSe/ZnS quantum dots using inter-diffusion process for developing high efficiency solar cell
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巻: 13  号:ページ: 710-714  発行年: 2012年04月 
JST資料番号: W1352A  ISSN: 1566-1199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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電子供与体としてポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT),及び電子受容体としてセレン化カドミウム/硫化亜鉛(CdSe/ZnS)コアシェル量子ドット(QDs)からなるバルクヘテロ接合(BHJ)太陽電池を開発した。P3HT/QDの複層構造から始めて熱的相互拡散過程を用いてBHJを作成する。複層構造の吸収測定は,アニールした素子で吸収係数が増大し,吸収スペクトルがよりブロードになることを示す。またアニール素子の光ルミネセンスは一桁低下して,QDsへの重要な電子移動を示す。この方法によりかつブロードバンド白色光8.19mW/cm2の照射で,著者らはこの太陽電池について電力変換効率5.1%,及び曲線因子0.45を達成することができた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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