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J-GLOBAL ID:201202239511386110   整理番号:12A0057733

表面下の電荷によるグラフェンの空間分解した電子的不均一性

Spatially resolved electronic inhomogeneities of graphene due to subsurface charges
著者 (8件):
資料名:
巻: 50  号:ページ: 932-938  発行年: 2012年03月 
JST資料番号: H0270B  ISSN: 0008-6223  CODEN: CRBNA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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ここでは,走査トンネ顕微鏡と静電気力顕微鏡を組み合わせて使用することで,SiO2基板中の帯電不純物の存在による剥離グラフェン中の電子的性質の局所不均一性について調べる。静電気力顕微鏡法を使用する接触電位差測定は平均の電荷密度を得ることを可能にするが,個別の電荷を特定するのに充分な分解能を持たない。局所のトンネリングバリアの高さに関連するトンネリング電流減衰定数は,個々の帯電不純物によるnm規模で歪んだグラフェンの電子的性質を調べることを可能にするとわかった。そのような不均一性は長距離の秩序を示さず,直接計測で得られた表面密度は巨視的な電荷密度測定で得られる値と一致する。キャリア密度のこれらの顕微鏡的な変動は,グラフェンの電子的性質を大きく変化させて,グラフェン系デバイスの性能の向上には,それらの特性化が不可欠である。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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炭素とその化合物  ,  その他の無機化合物の薄膜 
タイトルに関連する用語 (5件):
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