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J-GLOBAL ID：201202239605320996   整理番号：12A0993916

シリコンナノ結晶発光デバイスの作製のための全ガス相法

An All-Gas-Phase Approach for the Fabrication of Silicon Nanocrystal Light-Emitting Devices

著者 (5件)： ANTHONY Rebecca J. (Univ. Minnesota, Minnesota, USA) ,  CHENG Kai-Yuan (Univ. Minnesota, Minnesota, USA) ,  HOLMAN Zachary C. (Univ. Minnesota, Minnesota, USA) ,  HOLMES Russell J. (Univ. Minnesota, Minnesota, USA) ,  KORTSHAGEN Uwe R. (Univ. Minnesota, Minnesota, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 6  ページ： 2822-2825  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ結晶ベースの発光デバイス作製のための全ガス相法を示す。単一の反応器中でシリコンナノ結晶の合成,表面機能化及び透明電極で被覆した基板への堆積を行う。デバイスは上部電極の蒸着により完了する。デバイスは,波長836nmに中心を持ち,ピークの外部量子効率が0.02%以上のエレクトロルミネセンスを示した。この全ガス相法により,電子デバイス応用に適した高密度,機能性のナノ結晶膜の制御性の良い堆積が可能である。

シソーラス用語： *ナノ結晶 ,  *ケイ素 ,  固体素子 ,  *気相 ,  *エレクトロルミネセンス ,  可制御性 ,  堆積
準シソーラス用語： *ガス相 ,  制御性 ,  発光デバイス

分類 (2件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコンナノ結晶 ,  発光デバイス ,  作製 ,  ガス相