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J-GLOBAL ID：201202239659196093   整理番号：12A0593644

窒化ガリウムGaN半導体の高表面積ナノ粉末多孔度モデリング

Modeling porosity of high surface area nanopowders of the gallium nitride GaN semiconductor

著者 (2件)： DRYGAS Mariusz (Fac. of Energy and Fuels, AGH Univ. of Sci. and Technol., Al. Mickiewicza 30, 30-059 Krakow, POL) ,  JANIK Jerzy F. (Fac. of Energy and Fuels, AGH Univ. of Sci. and Technol., Al. Mickiewicza 30, 30-059 Krakow, POL)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 133  号： 2-3  ページ： 932-940  発行年： 2012年04月16日 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一連の高表面積窒化ガリウムGaNナノ粉末を調製し,適当に特性化した。粉末は,最高表面積を目的にミクロ多孔度共有を増加させ多くはメソ多孔性と思われた。BET表面積値は範囲6.3~222m²・g^-1にわたり,比メソ孔体積は最大0.21cm³・g^-1に達した。Scherrer式を使い,XRDデータから平均結晶サイズを計算した。ヘリウム比重ビン法を利用し,3.6~6.1g・cm^-3の広い範囲でナノ粉末骨格密度を決定した。密度は,ヘリウム原子が浸透しない特別な結晶凝集体の存在から説明できる明らかな粒度依存性を示した。ここでは,ナノ結晶粉末,特にナノGaNの多孔度簡易モデルを提案し,実験データと比較した。球直径の関数として最密充填球(剛体と非剛体構造)の適当な特定表面を用い,このような粉末の表面積をモデル化した。選択モデルの変数は,統計的に,実験データ点,つまり非常に良い解を生成するXRD走査で決定したBET比表面積や平均結晶サイズに最適に当てはまった。それらは,GaNナノ結晶粉末のBET比表面積が基本的にナノ粒子,つまり結晶や凝集体の利用可能表面積と一致するとする観点を裏付けた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *半導体 ,  *ナノ構造 ,  *微粉体 ,  *空隙率 ,  *モデリング ,  表面積 ,  材料 ,  多孔質体 ,  BET法 ,  体積 ,  X線回折 ,  結晶粒径 ,  比重計 ,  密度 ,  凝集体 ,  粒度依存性 ,  ナノ結晶 ,  結晶構造 ,  充填
準シソーラス用語： *ナノ粉末 ,  *多孔度 ,  メソ多孔質体 ,  細孔容積 ,  比重瓶 ,  最密充填

分類 (4件)： 塩  (CD01050V) ,  界面化学一般  (CB12010J) ,  粉体工学  (XD03010M) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J)

タイトルに関連する用語 (6件)： 窒化ガリウム ,  GaN ,  表面積 ,  ナノ粉末 ,  多孔度 ,  モデリング