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J-GLOBAL ID：201202239699012041   整理番号：12A0991907

単一井戸か二重井戸か: 4H SiCポリタイプ中の8H及び3C包含物の第一原理研究

Single well or double well: First-principles study of 8H and 3C inclusions in the 4H SiC polytype

著者 (3件)： MIAO Mao-Sheng (Univ. California Santa Barbara, California, USA) ,  MIAO Mao-Sheng (Beijing Computational Sci. Res. Center, Beijing, CHN) ,  LAMBRECHT Walter R.L. (Case Western Reserve Univ., Ohio, USA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 85  号： 20  ページ： 205318.1-205318.5  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *ポリタイプ ,  ヘテロ接合 ,  六方晶系 ,  量子井戸 ,  状態密度 ,  格子欠陥 ,  超格子 ,  静電場 ,  伝導バンド ,  *包有物
準シソーラス用語： 部分状態密度

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 井戸 ,  SiC ,  ポリタイプ ,  包含物 ,  第一原理 ,  研究