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J-GLOBAL ID：201202239722658787   整理番号：12A0425548

50Gb/sシリコン光変調器

50-Gb/s Silicon Optical Modulator

著者 (11件)： THOMSON David J. (Univ. Surrey, Guildford, GBR) ,  GARDES Frederic Y. (Univ. Surrey, Guildford, GBR) ,  FEDELI Jean-Marc (LETI, CEA, Grenoble, FRA) ,  ZLATANOVIC Sanja (Univ. California San Diego, CA, USA) ,  HU Youfang (Univ. Surrey, Guildford, GBR) ,  KUO Bill Ping Piu (Univ. California San Diego, CA, USA) ,  MYSLIVETS Evgeny (Univ. California San Diego, CA, USA) ,  ALIC Nikola (Univ. California San Diego, CA, USA) ,  RADIC Stojan (Univ. California San Diego, CA, USA) ,  MASHANOVICH Goran Z. (Univ. Surrey, Guildford, GBR) ,  REED Graham T. (Univ. Surrey, Guildford, GBR)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 24  号： 1-4  ページ： 234-236  発行年： 2012年01月01日 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンを基にした高性能光変調器は,同じ基盤のCMOS電子回路との集積化点ので,魅力である。チャネル効率と消費電力の低減を含む,データレートの増加に対して,自由キャリア空乏に基づく,消光比3.1dB,50Gb/sのデータレートの変調器を提案した。この素子の全挿入損失は,Mach-Zehnder干渉計(MZI)の動作点を考慮して,7.1dBである。MZIは現在,二つのMZアームの一つが,シングルドライブ構成で動作している。設置面積の節約,駆動電圧の低減(消費電力の低減),変調深度の増加や,これらの組み合わせが,2台駆動のMZIの動作により得られる。

シソーラス用語： *光変調素子 ,  半導体 ,  消費電力 ,  キャリア ,  消光比 ,  *Mach-Zehnder干渉計 ,  *CMOS
準シソーラス用語： *シリコン ,  *光変調器 ,  *自由キャリア

分類 (2件)： 光変調器  (BD06020W) ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (2件)： シリコン ,  光変調器