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J-GLOBAL ID：201202239821099900   整理番号：12A1485752

キャリア蓄積効果と抽出強化ラテラルIGBT(E²LIGBT):LDMOSFETに勝る超高速・低オン状態電圧LIGBT

Carrier-Storage Effect and Extraction-Enhanced Lateral IGBT (E²LIGBT): A Super-High Speed and Low On-state Voltage LIGBT Superior to LDMOSFET

著者 (5件)： TAKAHASHI Shigeki (DENSO Co., Ltd, Aichi, JPN) ,  NAKAGAWA Akio (Nakagawa Consulting Office, Kanagawa, JPN) ,  ASHIDA Youichi (DENSO Co., Ltd, Aichi, JPN) ,  SHIRAKI Satoshi (DENSO Co., Ltd, Aichi, JPN) ,  TOKURA Norihito (DENSO Co., Ltd, Aichi, JPN)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 24th  ページ： 393-396  発行年： 2012年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新規な抽出強化ラテラル絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(E²LIGBT)の開発に成功した。これは34nsターンオフ時間の超高速スイッチングと,84A/cm²で3.7Vの低オン状態電圧,738Vの高絶縁破壊電圧を示す。オン状態電圧はキャリア蓄積層を導入することで,84A/cm²で3.0Vまでさらに低減できる。開発したE²LIGBTは,これまでに報告されたすべてのラテラルMOSパワー素子の中で,オン抵抗とスイッチング速度の最良のトレードオフを達成した。

シソーラス用語： *IGBT ,  蓄積 ,  スイッチング ,  アノード ,  電流電圧特性 ,  温度依存性 ,  電流密度 ,  時間 ,  衝突イオン化 ,  電位 ,  プラズマ流 ,  速度 ,  オン抵抗
準シソーラス用語： キャリア蓄積 ,  陽極 ,  ターンオフ時間 ,  衝撃イオン化 ,  静電ポテンシャル ,  電子電流 ,  スイッチング速度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： キャリア ,  蓄積効果 ,  強化 ,  IGBT ,  LDMOSFET ,  オン状態