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J-GLOBAL ID:201202239879066409   整理番号:12A1508032

Zn1-(x+y)GaxInyO系(0.0≦x+y≦0.007)の熱伝導率および無次元性能指数に及ぼすZnサイトのドーパントの平均イオン半径の影響

Influence of average ionic radius of dopants in Zn site on thermal conductivity and dimensionless figure of merit for Zn1-(x+y)GaxInyO system (0.0≦x+y≦0.007)
著者 (3件):
資料名:
巻: 37  号:ページ: 429-433  発行年: 2012年09月 
JST資料番号: L4468A  ISSN: 1382-3469  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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ZnO,Ga2O3およびIn2O3粉末を原料にZn1-(x+y)GaxInyO(x+y=0,0,005,0.007,0.009)化合物を固相反応法により合成した。Ga3+,In3+イオン半径はそれぞれ0.047nm,0.061nmを用いて,ドーパントの平均イオン半径(rav)を計算した。Seebeck係数(S)および電気伝導率(σ)を673~1073Kの温度範囲で測定,また熱伝導率(κ)は定常状態法で測定し,これらを使って性能指数(ZT)を算出し,Zn1-(x+y)GaxInyOの性能指数に及ぼすドーパントの平均イオン半径の影響を調べた。そして高品質熱電材料としてのZnO分子設計のキーとなる結晶学的パラメータを考察した。その結果,高品質のZnO系熱電材料を開発するためには,ドーパントの平均イオン半径の概念を用いることによりZTが改良されることが明らかとなった。
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分類 (3件):
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セラミック・陶磁器の製造  ,  半導体結晶の電気伝導  ,  比熱・熱伝導一般 

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