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J-GLOBAL ID：201202239896165950   整理番号：12A0790196

真空蒸着したCdTe薄膜の,構造,光ルミネセンス,誘電特性,および電気特性の研究

Structural, optical, photoluminescence, dielectric and electrical studies of vacuum-evaporated CdTe thin films

著者 (3件)： KHAN Ziaul Raza (Jamia Millia Islamia, Dep. of Physics, 110 025, New Delhi, IND) ,  ZULFEQUAR M (Jamia Millia Islamia, Dep. of Physics, 110 025, New Delhi, IND) ,  KHAN Mohd. Shahid (Jamia Millia Islamia, Dep. of Physics, 110 025, New Delhi, IND)
資料名： Bulletin of Materials Science  (Bulletin of Materials Science)
巻： 35  号： 2  ページ： 169-174  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： T0142A  ISSN： 0250-4707  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： インド (IND)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 約2×10^-5Torrの真空中での熱蒸着法で,石英とガラスの基材に,非常に配向したCdTe薄膜を作製した。X線回折(XRD),UV-VIS-NIR,光ルミネセンス分光および走査電子顕微鏡(SEM)で,このCdTe薄膜をキャラクタライズした。X線回折の結果によると,薄膜は立方構造の多結晶で,(111)結晶学方位に沿った粒の優先成長を持っていた。走査電子顕微鏡像で,両方の基材で,匹敵するサイズの結晶子の成長が観察された。室温での,両方の基材での薄膜の光ルミネセンススペクトルは,805nmに最大がある鋭いピークを示した。このバンドは著しく狭く,結晶粒界欠陥関係の遷移に由来することを示唆していた。透過スペクトルの干渉縞を使用して,CdTe薄膜の屈折率を計算した。薄膜の光学バンドギャップから,1.47~1.50eVのエネルギーギャップの直接遷移が可能であることが判明した。CdTe薄膜の交流伝導率は,周波数の増加に従って増加することが判明したが,誘電率は,周波数の増加に従って減少することが観察された。Copyright 2012 Indian Academy of Sciences Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  *蒸着膜 ,  *真空蒸着 ,  *テルル化カドミウム ,  *微細構造 ,  *光ルミネセンス ,  *誘電率 ,  *電気抵抗率 ,  発光スペクトル ,  光学ギャップ ,  屈折率 ,  光屈折 ,  周波数依存性 ,  石英 ,  基板 ,  結晶成長
準シソーラス用語： ガラス基板

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 真空蒸着 ,  CdTe ,  薄膜 ,  光ルミネセンス ,  誘電特性 ,  電気特性 ,  研究