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J-GLOBAL ID：201202239902781080   整理番号：12A0269282

エピタキシャル薄膜Ca₂RuO₄における遍歴強磁性と幾何学的に抑制された金属-絶縁体転移

Itinerant ferromagnetism and geometrically suppressed metal-insulator transition in epitaxial thin films of Ca₂RuO₄

著者 (9件)： MIAO Ludi (Dep. of Physics and Engineering Physics, Tulane Univ., New Orleans, Louisiana 70118, USA) ,  SILWAL Punam (Dep. of Physics and Engineering Physics, Tulane Univ., New Orleans, Louisiana 70118, USA) ,  ZHOU Xiaolan (Dep. of Physics and Engineering Physics, Tulane Univ., New Orleans, Louisiana 70118, USA) ,  STERN Ilan (Dep. of Physics and Engineering Physics, Tulane Univ., New Orleans, Louisiana 70118, USA) ,  PENG Jin (Dep. of Physics and Engineering Physics, Tulane Univ., New Orleans, Louisiana 70118, USA) ,  ZHANG Wenyong (Dep. of Physics and Engineering Physics, Tulane Univ., New Orleans, Louisiana 70118, USA) ,  SPINU Leonard (Dep. of Physics, Univ. of New Orleans, New Orleans, Louisiana 70148, USA) ,  MAO Zhiqiang (Dep. of Physics and Engineering Physics, Tulane Univ., New Orleans, Louisiana 70118, USA) ,  HO KIM Dae (Dep. of Physics and Engineering Physics, Tulane Univ., New Orleans, Louisiana 70118, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 5  ページ： 052401  発行年： 2012年01月30日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： われわれはLaAlO₃(001)基板上の高品質Ca₂RuO₄膜のエピタキシャル成長時の歪の電気的磁気的特性への効果について研究してきた。それらの膜は低温遍歴強磁性基底状態とエピタキシャル歪のために金属-絶縁体転移がかなり抑制されていることを示した。面内抵抗率の異常もネール点温度近傍で観測された。異方的磁気抵抗の対称性解析は強磁性金属と基底状態の反強磁性絶縁体の相共存を示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *金属-絶縁体転移 ,  *ルテニウム化合物 ,  *酸素酸塩 ,  カルシウム化合物 ,  ヘテロエピタクシー ,  *強磁性 ,  残留歪 ,  電気抵抗率 ,  Neel温度 ,  *磁気抵抗 ,  異方性 ,  絶縁材料 ,  金属 ,  反強磁性 ,  磁性薄膜 ,  レーザ蒸着 ,  基板 ,  アルミン酸塩 ,  ランタン化合物 ,  絶縁体
準シソーラス用語： アルミン酸ランタン ,  共存 ,  強磁性金属 ,  反強磁性絶縁体 ,  *遍歴強磁性 ,  面内電気抵抗率

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (6件)： エピタキシャル ,  薄膜 ,  Ca2RuO4 ,  強磁性 ,  幾何学 ,  金属-絶縁体転移