ボールミル加工によるホウ素ドープSi粒子の合成およびLiイオン電池への応用

ROUSSELOT S.; GAUTHIER M.; GAUTHIER M.; MAZOUZI D.; LESTRIEZ B.; GUYOMARD D.; ROUE L.

文献

J-GLOBAL ID：201202239930984752 整理番号：12A0140268

ボールミル加工によるホウ素ドープSi粒子の合成およびLiイオン電池への応用

Synthesis of boron-doped Si particles by ball milling and application in Li-ion batteries

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資料名：
巻： 202 ページ： 262-268 発行年： 2012年03月15日
JST資料番号： B0703B ISSN： 0378-7753 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

ホウ素ドープSi粒子を,純粋BおよびSiを種々の比率(Siモル当たりの原子B,0,10²⁰,10²¹,10²²および10²³)にて,高エネルギーボールミル加工により調製した。添加B原子の部分のみがSi格子内に取り込まれる,と言う事実にもかかわらず,Si電気抵抗率にはかなりの低下が観察された。ホウ素フリーのサンプルの190Ωcmに比較し,Siモル当たり原子B10²¹によるミル加工サンプルに対しては,0.13Ωcmの最小電気抵抗率に導いた。これら2つのサンプルに焦点を当てた電気化学研究から,SiへのB-ドーピングは,サイクル寿命,クーロン効率および高レート充電能力の点では,Liイオン電池に対しこの複合材料Siベース電極の性能を大きく改善しない,ことが分かった。またアノード分極曲線の分析からは,脱リチオ化反応は,両電極上での~4CのレートからのLi拡散速度論により主として制御される,ことが分かった。最後に,この(Si+カーボンブラック+カルボキシメチルセルロース)成分の混合に対し,共鳴超音波混合器の使用は,この複合材料電極のサイクル寿命を長くする,ことが分かった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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二次電池

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