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J-GLOBAL ID：201202239931733257   整理番号：12A1246079

単一分子磁石接合におけるトンネル異方性磁気抵抗

Tunneling anisotropic magnetoresistance in single-molecule magnet junctions

著者 (4件)： XIE Haiqing (Inst. of Theoretical Physics and Dep. of Physics, Shanxi Univ., Taiyuan 030006, CHN) ,  WANG Qiang (Inst. of Theoretical Physics and Dep. of Physics, Shanxi Univ., Taiyuan 030006, CHN) ,  JIAO Hujun (Inst. of Theoretical Physics and Dep. of Physics, Shanxi Univ., Taiyuan 030006, CHN) ,  LIANG J.-q. (Inst. of Theoretical Physics and Dep. of Physics, Shanxi Univ., Taiyuan 030006, CHN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 4  ページ： 043701-043701-4  発行年： 2012年08月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 連続領域に強磁性体と通常金属リード線をもつ単一分子磁石(SMM)接合を通過する量子輸送を理論的に調べた。レート方程式から求めた電流はトンネル異方性磁気抵抗(TAMR)を生じさせるが,それは強磁性リード線の磁化方向とSMMの磁化容易軸の間の角度と共に変化した。TAMRの角度依存性はSMMの容易軸を実験的に決める際のプローブの役に立つ。さらに,TAMRの大きさと符号はバイアス電圧で調節可能で,それは分子スピントロニクスにおける唯一個の磁性電極を持つ新しいスピンバルブ素子を示唆している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： トンネル接合 ,  *磁石 ,  レート方程式 ,  *リード線 ,  *磁化 ,  軸方向 ,  角度依存性 ,  *磁気抵抗 ,  異方性 ,  素子構造
準シソーラス用語： *トンネル磁気抵抗 ,  *強磁性トンネル接合 ,  磁化容易軸 ,  *単一分子磁石 ,  スピンバルブ

分類 (2件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  磁区・磁化過程一般  (BM06111M)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単一分子磁石 ,  トンネル ,  異方性磁気抵抗