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J-GLOBAL ID：201202239994782169   整理番号：12A0140572

RFマグネトロンスパッタリングによる窒化ケイ素薄膜の蒸着 材料と成長過程の研究

Deposition of silicon nitride thin films by RF magnetron sputtering: a material and growth process study

著者 (5件)： SIGNORE M.a. (ENEA-Technical Unit “Material Technology”, Res. Centre of Brindisi, S.S. 7 Appia km 706, 72100 Brindisi, ITA) ,  SYTCHKOVA A. (ENEA-Technical Unit “Material Technology”, Res. Centre of Casaccia, Via Anguillarese 301, 00123 Rome, ITA) ,  DIMAIO D. (ENEA-Technical Unit “Material Technology”, Res. Centre of Brindisi, S.S. 7 Appia km 706, 72100 Brindisi, ITA) ,  CAPPELLO A. (ENEA-Technical Unit “Material Technology”, Res. Centre of Brindisi, S.S. 7 Appia km 706, 72100 Brindisi, ITA) ,  RIZZO A. (ENEA-Technical Unit “Material Technology”, Res. Centre of Brindisi, S.S. 7 Appia km 706, 72100 Brindisi, ITA)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 34  号： 4  ページ： 632-638  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 混合物の反応性気体フラックス比率を調整し,(Ar+N₂)雰囲気の室温RFマグネトロンスパッタリングを使用して,窒化ケイ素(SiN_x)薄膜を蒸着した。UV-可視-NIRおよびFourier変換赤外(FTIR)分光測光とSIMS(二次イオン質量分析)を用いて試料を分析した。成長過程とSiN_x膜の光学および化学的性質に対する混合気体中の窒素含量の効果を調べた。得られた結果を解釈するには,シリコンターゲットのスパッタリングに対する(Ar+N₂)雰囲気中の窒素解離またはイオン化の役割を解析する成長過程の定性的記述が重要であり,このことは薄膜の物理的応答と完全に一致した。光学的解析に基づいて光学定数(nとκ)と光学バンドギャップ値を求めた。これらは混合物中の窒素含量の上昇によって増加したが,その値はSi₃N₄の化学量論組成の膜よりも低かった。これはSIMSおよびFTIRスペクトルにより十分に支持される汚染物(酸素と水素)の存在に帰着する。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  *窒化ケイ素 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  RFスパッタリング ,  室温 ,  混合気体 ,  アルゴン ,  窒素 ,  キャラクタリゼーション ,  *スペクトル解析 ,  *透過率 ,  *反射率 ,  紫外スペクトル ,  可視スペクトル ,  赤外スペクトル ,  近赤外線 ,  FTIR分光法 ,  二次イオン質量分析 ,  濃度依存性 ,  解離 ,  イオン化 ,  光学定数 ,  光学ギャップ ,  化学量論

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： RFマグネトロンスパッタリング ,  窒化 ,  ケイ素薄膜 ,  蒸着 ,  成長過程 ,  研究