整合な多層膜界面を横切っての相互拡散に及ぼす整合応力と空孔ソース/シンクの影響-第II報:界面シャープニングおよび相互混合速度

WAN Haibo; SHEN Yao; JIN Xuejun; CHEN Youxing; SUN Jian

文献

J-GLOBAL ID：201202240414460001 整理番号：12A0563130

整合な多層膜界面を横切っての相互拡散に及ぼす整合応力と空孔ソース/シンクの影響-第II報:界面シャープニングおよび相互混合速度

Effects of coherency stress and vacancy sources/sinks on interdiffusion across coherent multilayer interfaces - Part II: Interface sharpening and intermixing rate

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資料名：
巻： 60 号： 6-7 ページ： 2539-2553 発行年： 2012年04月
JST資料番号： A0316A ISSN： 1359-6454 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

整合なMo/VおよびCu/Ni多層膜における空孔を介しての相互拡散を,界面シャープニングおよび相互混合速度に対する整合応力および空孔ソース/シンクの影響を評価するために,シミュレートしている。その際,次の二つの極端の場合に対して前論文で開発したフェーズフィールドモデルを用いた:密に分布した理想的な空孔ソース/シンクまたは全くソース/シンクが存在しない。界面先鋭化は界面を横切っての拡散係数の大きな非対称性から起こり,それは言い換えれば,二つの構成層の間の空孔形成および空孔移動のエネルギーの大きな違いに由来する。驚くべきシャープニングは,密な空孔ソース/シンクを持つかまたは空孔ソース/シンクを持たないかのいずれかのMo/V多層膜において存在するが,しかしそれはCu/Niにおいては高密度の空孔ソース/シンクがある場合においてのみ存在する。シャープニングは整合応力によってCu/Niにおいては空孔ソース/シンクの存在にかかわらず抑制されているが,しかし高密度の空孔ソース/シンクを持つMo/Vにおいてのみ促進されている。相互混合速度は,Mo/Vにおいては,界面に平行または垂直な,あるいは全ての方向で均一に分布している高密度の空孔ソース/シンクの導入によって抑制されるが,しかしCu/Niにおいては界面に平行な空孔ソース/シンクの導入によって促進される。相互混合速度はMo/Vにおいては空孔ソース/シンクの存在にかかわらず,整合応力によって促進されるが,しかしCu/Niにおいては,空孔ソース/シンクが界面に平行かまたは空孔ソース/シンクが全くないときにのみ整合応力によって促進される。界面シャープニングおよび相互混合速度に対する原子体積おけるミスマッチによって誘起された整合応力の効果は相反しているが,しかし空孔ソース/シンクでの格子生成/消滅によって誘起された応力のそれに優勢である。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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機械的性質 , 金属の格子欠陥

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