酸化インジウムスズ電極をもつ非晶質In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタアレイを使用した有機イメージセンサのための128x96ピクセル,50μmピクセルピッチの透明読出し回路

SAKAI Toshikatsu; SEO Hokuto; AIHARA Satoshi; KUBOTA Misao; EGAMI Norifumi; WANG Dapeng; FURUTA Mamoru

文献

J-GLOBAL ID：201202240421209578 整理番号：12A0248592

酸化インジウムスズ電極をもつ非晶質In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタアレイを使用した有機イメージセンサのための128x96ピクセル,50μmピクセルピッチの透明読出し回路

A 128×96 Pixel, 50μm Pixel Pitch Transparent Readout Circuit Using Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistor Array with Indium-Tin Oxide Electrodes for an Organic Image Sensor

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資料名：
巻： 51 号： 1,Issue 1 ページ： 010202.1-010202.3 発行年： 2012年01月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

高感度の積層タイプイメージセンサのための信号読み出し回路に向けて,非晶質In-Ga-Zn-Oチャンネルおよび酸化インジウムスズ電極を使用した完全透明薄膜トランジスタ(TFT)アレイを製作した。ピクセルピッチおよびピクセル数はそれぞれ50μmおよび128x96である。TFTアレイの可視光に対する透過率は最大85%に達した。アレイはまた良好なスイッチング特性を示した。このアレイを用いて,亜鉛フタロシアニン有機光導電性薄膜を用いた単色性イメージセンサを製作した。このイメージセンサはピクセル数に相当した分解能で1秒当たり30フレームで鮮明なイメージを作製した。(翻訳著者抄録)

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トランジスタ , 撮像・録画装置

引用文献 (14件)：

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