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J-GLOBAL ID：201202240436716000   整理番号：12A0684945

過剰亜鉛によって得られたMgZnO縮退膜

Degenerated MgZnO films obtained by excessive zinc

著者 (7件)： LIU J.s. (State Key Lab. of Luminescence and Applications, Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese ...) ,  LIU J.s. (Graduate Univ. of the Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100049, CHN) ,  SHAN C.x. (State Key Lab. of Luminescence and Applications, Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese ...) ,  WANG S.p. (State Key Lab. of Luminescence and Applications, Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese ...) ,  LI B.h. (State Key Lab. of Luminescence and Applications, Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese ...) ,  ZHANG Z.z (State Key Lab. of Luminescence and Applications, Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese ...) ,  SHEN D.z. (State Key Lab. of Luminescence and Applications, Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese ...)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 347  号： 1  ページ： 95-98  発行年： 2012年05月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 成長過程時に過剰亜鉛を導入することによって,Mg_0.46Zn_0.54O縮退膜を調製した。Mg_0.46Zn_0.54O膜の抵抗率は,たったの0.053Ωcmしかなく,電子濃度は1.0×10¹⁹cm^-3であり,ZnOのMott濃度(2.9×10¹⁸cm^-3)よりもはるかに高かった。そのような高い電子濃度の起源は,膜中の過剰亜鉛に起因している可能性がある。本論文で報告した結果は,導電性の縮退したMgZnO膜に一つの経路を提供するものである。このため,本結果は,ZnO系ヘテロ構造,あるいは,深紫外線の光電子工学素子の作製に向けて,基本を定めるものになるかも知れない。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *酸化物 ,  *マグネシウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  半導体薄膜 ,  *電気抵抗率 ,  キャリア密度 ,  *電子密度 ,  濃度
準シソーラス用語： *縮退半導体 ,  Mott濃度

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (2件)： 亜鉛 ,  縮退