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J-GLOBAL ID：201202240571917082   整理番号：12A1337015

AlGaN障壁厚がAl_0.14Ga_0.86N/GaN高電子移動度トランジスタ構造の電気特性およびデバイス特性に及ぼす影響

Influence of AlGaN barrier thickness on electrical and device properties in Al_0.14Ga_0.86N/GaN high electron mobility transistor structures

著者 (12件)： WALTEREIT P. (Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, D-79108 Freiburg, DEU) ,  BRONNER W. (Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, D-79108 Freiburg, DEU) ,  MUSSER M. (Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, D-79108 Freiburg, DEU) ,  RAAY F. van (Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, D-79108 Freiburg, DEU) ,  DAMMANN M. (Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, D-79108 Freiburg, DEU) ,  CAESAR M. (Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, D-79108 Freiburg, DEU) ,  MUELLER S. (Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, D-79108 Freiburg, DEU) ,  KIRSTE L. (Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, D-79108 Freiburg, DEU) ,  KOEHLER K. (Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, D-79108 Freiburg, DEU) ,  QUAY R. (Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, D-79108 Freiburg, DEU) ,  MIKULLA M. (Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, D-79108 Freiburg, DEU) ,  AMBACHER O. (Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, D-79108 Freiburg, DEU)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 5  ページ： 053718-053718-5  発行年： 2012年09月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al_0.14Ga_0.86N/GaNヘテロ構造におけるAlGaN障壁の厚さがヘテロ構造自体の電気特性ならびにこれらの構造上に作製した高電子移動度トランジスタの両方に及ぼす影響を調べる。障壁の厚さが増加するにつれ,シート抵抗,コンダクタンス,およびしきい値電圧が低下するのを観察した。観察した変化は,モデル構築によりよく説明される。AlGaN/GaNヘテロ構造における障壁の厚さの増加する結果,利用できる高周波入力電力の揺動がSchottkyゲートのターンオン前に増加することが実証された。直流電流ストレス下にあるデバイスの長期的な安定性は,150°Cのベースプレート温度でのオンウエハ信頼性試験によって示されるように,障壁膜厚の増加によって影響を受けない。これらの結果は,極端なミスマッチ状態下だけでなく,優れた高周波電力性能下でも高いロバスト性を提供するAlGaN/GaNトランジスタ用途に道を開く。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 半導体材料 ,  *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *キャリア移動度 ,  電気特性 ,  *HEMT ,  素子構造 ,  *障壁 ,  膜厚 ,  シート抵抗 ,  コンダクタンス ,  電圧 ,  ロバスト性 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN ,  デバイス特性 ,  *高電子移動度トランジスタ ,  電子移動度 ,  ヘテロ構造 ,  閾値電圧

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  障壁 ,  厚 ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  電気特性 ,  デバイス特性