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J-GLOBAL ID：201202240578957500   整理番号：12A1022963

常温で成長させたインジウムスズ酸化物ナノ複合薄膜内の相分離 酸素欠陥の作用

Phase separation in nanocomposite indium tin oxide thin films grown at room temperature: on the role of oxygen deficiency

著者 (5件)： MILLON Eric (Univ. Orleans, Orleans, FRA) ,  NISTOR Magdalena (National Inst. Lasers, Plasma and Radiation Physics, Bucharest-Magurele, ROM) ,  HEBERT Christian (Univ. Pierre et Marie Curie-Paris 6, Paris, FRA) ,  DAVILA Yohely (Univ. Pierre et Marie Curie-Paris 6, Paris, FRA) ,  PERRIERE Jacques (Univ. Pierre et Marie Curie-Paris 6, Paris, FRA)
資料名： Journal of Materials Chemistry  (Journal of Materials Chemistry)
巻： 22  号： 24  ページ： 12179-12185  発行年： 2012年06月28日 
JST資料番号： W0204A  ISSN： 0959-9428  CODEN： JMACEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 均一固体内で起きる相分離による物性の大きい変化の原因を解析した。266nmのレーザ光でバルクIn_1.8Sn_0.2O₃をアブレーションし,サファイアかシリコンウエハ基板にITO薄膜を成長させた。その厚みと酸素組成はRutherford後方散乱で計算し(金属はターゲットと同じ組成と仮定),電気伝導率を測定した。ITOの熱力学的不安定性からこの膜内で常温で不均化による相分離が起きる。酸素空格子点が供給する電子が還元中心になってInと/またはSnが金属原子になり,相分離が完成するとITOの量論組成マトリックスに金属クラスタが現れる。相分離には酸素格子欠陥濃度に閾値があり,ほぼ量論組成のIn_1.8Sn_0.2O_x(x>2.75)では金属クラスタができないが,x<2.75では現れる。この存在を古典的な核形成理論で解釈した。クラスタになる臨界サイズと酸素組成のアナロジーを提案した。

シソーラス用語： *相変態 ,  *相分離 ,  *成因 ,  *酸化インジウムスズ ,  レーザアブレーション ,  薄膜成長 ,  Rutherford後方散乱 ,  膜厚 ,  *化学組成 ,  電気伝導率 ,  不均化 ,  *中温 ,  *空格子点 ,  格子欠陥 ,  濃度 ,  還元 ,  *金属クラスタ ,  化学量論 ,  閾値 ,  核形成 ,  *長さ ,  *依存性 ,  類推
準シソーラス用語： アナロジ ,  *元素組成 ,  *固相転移 ,  *酸素空格子点 ,  酸素濃度 ,  *常温 ,  *組成依存性 ,  *臨界寸法

分類 (3件)： 固相転移  (BL04020G) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  金属の結晶成長  (BK13030M)

タイトルに関連する用語 (7件)： 常温 ,  成長 ,  インジウムスズ酸化物 ,  ナノ複合 ,  薄膜 ,  相分離 ,  酸素欠陥