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J-GLOBAL ID:201202240612661799   整理番号:12A0937426

エネルギー利用のライセンス新技術 フレキシブル太陽電池向け微結晶シリコン薄膜の低温成長

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巻: 57  号:ページ: 489-493  発行年: 2012年07月01日 
JST資料番号: F0134A  ISSN: 0387-1037  CODEN: CMNGA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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紫外レーザ光照射によるシリコン結晶粒の大粒径化を,大粒径化に重要な役割を果たす結晶粒界のみを選択加熱可能な可視レーザ光を同時,もしくはあるタイミングをもって照射することにより低温で促進する方法の開発を行った。現在,当該技術を用いて形成したポリマー基板上のシリコン薄膜による太陽電池や薄膜トランジスタヘの応用を検討している。また,半導体材料としてシリコンを用いる最大の利点は,ICやLSIを形成することができるため,システム化を容易に図れる点にある。例えば,太陽電池パネル内に電力マネジメントや通信を行うための回路を組み込むことで,スマートグリッドに関する機能を太陽電池パネル内に作り込むことが可能となる。また,太陽電池やディスプレイ,タッチパネルを兼ね備えたタブレット型コンピュータなどを,軽くて折り曲げ可能なポリマー基板上に一体形成することが可能となる。本稿では,可視レーザ光誘起横方向成長法,可視レーザ光誘起横方向成長法の検証などについて解説した。
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  太陽電池  ,  化学工学一般 

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