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J-GLOBAL ID：201202240649166232   整理番号：12A0783992

イオン注入後のアニーリング時における表面近傍のドーパント・パイルアップのメカニズムと速度論

Mechanism and kinetics of near-surface dopant pile-up during post-implant annealing

著者 (3件)： GORAI Prashun (Dep. of Chemical & Biomolecular Engineering, Univ. of Illinois, Urbana, Illinois 61801, USA) ,  KONDRATENKO Yevgeniy V. (Dep. of Chemical & Biomolecular Engineering, Univ. of Illinois, Urbana, Illinois 61801, USA) ,  SEEBAUER Edmund G. (Dep. of Chemical & Biomolecular Engineering, Univ. of Illinois, Urbana, Illinois 61801, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 9  ページ： 094510-094510-10  発行年： 2012年05月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン注入後のアニール時に,Si/SiO₂界面から1~2μm以内に生じるドーパントのパイルアップは,シリコン-オン-絶縁体(SOI)技術や超急峻後退チャネル技術を使ったマイクロエレクトロニクスデバイスの性能に影響する。パイルアップは,界面におけるバンドの曲がりにより誘起される格子間ドーパントの荷電状態変化に起因する。しかし,パイルアップに必要な特定条件やパイルアップの時間発展の速度論に関する機構的理解はほとんど得られていない。この研究では,連続シミュレーションと実験結果(SiへのB注入)を使って,パイルアップが起こるためには,その中ではFermi準位が格子間ドーパントのイオン化準位より高くなるようなゾーンが界面近くに存在する必要があることを示した。界面欠陥の消滅確率が高くないかぎり,パイルアップ領域の幅はこのゾーンの幅に密接に対応する。パイルアップの時間及び温度依存性は自由な格子間ドーパントのそれに従う。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOS構造 ,  *ケイ素 ,  イオン注入 ,  ドーパント ,  *ホウ素 ,  *集積 ,  焼なまし ,  濃度分布 ,  深さプロフィル ,  時間依存性 ,  温度依存性
準シソーラス用語： *パイルアップ

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン注入 ,  アニーリング ,  近傍 ,  メカニズム ,  速度論