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J-GLOBAL ID：201202240745543225   整理番号：12A0256715

単結晶性金属酸化物ワイヤ上の酸素誘起金属-絶縁体転移

Oxygen-induced metal-insulator-transition on single crystalline metal oxide wires

著者 (5件)： BERENGUE O. M. (NanO LaB - Departamento de Fisica, Universidade Federal de Sao Carlos, CEP 13565-905, CP 676, Sao Carlos, Sao Paulo ...) ,  AMORIM C. A. (NanO LaB - Departamento de Fisica, Universidade Federal de Sao Carlos, CEP 13565-905, CP 676, Sao Carlos, Sao Paulo ...) ,  KAMIMURA H. (NanO LaB - Departamento de Fisica, Universidade Federal de Sao Carlos, CEP 13565-905, CP 676, Sao Carlos, Sao Paulo ...) ,  CHIQUITO A. J. (NanO LaB - Departamento de Fisica, Universidade Federal de Sao Carlos, CEP 13565-905, CP 676, Sao Carlos, Sao Paulo ...) ,  LEITE E. R. (Laboratorio Interdisciplinar de Eletroquimica e Ceramicas, Departamento de Quimica, Universidade Federal de Sao ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 1  ページ： 013713  発行年： 2012年01月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では成長の間の酸素濃度を変えた個々の単結晶性酸化インジウムワイヤの金属から絶縁体伝導への転移について報告する。輸送測定は,金属伝導を支配するものは主に音響フォノン散乱で,絶縁体的性格は可変領域ホッピング機構で扱え,それはAnderson型の金属-絶縁体転移(MIT)の最初の証拠と考えられることを示した。実験データから得た臨界キャリア密度は8×10¹⁸cm^-3で,これは不純物間距離2.5nmに対応する。これは過去の酸化インジウム試料のデータおよびIn₂O₃半導体試料の知見と一致している。この方式は,電子輸送の特性に酸素空格子点が本質的な役を果たしている他の金属酸化物系の成長にも使えるだろう。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 単結晶 ,  *金属-絶縁体転移 ,  *酸化インジウム ,  Anderson転移 ,  *キャリア密度 ,  不純物 ,  *ナノワイヤ ,  ホッピング伝導 ,  空格子点 ,  フォノン
準シソーラス用語： フォノン散乱 ,  可変領域ホッピング ,  酸素空格子点

分類 (1件)： 金属-絶縁体転移  (BM02110T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 単結晶性 ,  金属酸化物 ,  ワイヤ ,  酸素 ,  誘起 ,  金属-絶縁体転移