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J-GLOBAL ID：201202240945119363   整理番号：12A1166993

蒸着Cu(In,Ga)Se₂吸収体層の表面上の三角島及び空洞

Triangle islands and cavities on the surface of evaporated Cu(In, Ga)Se₂ absorber layer

著者 (5件)： HAN Anjun (Inst. of Photo-electronic Thin Film Devices and Technol., Key Lab. of Photo-electronic Thin Film Devices and ...) ,  ZHANG Yi (Inst. of Photo-electronic Thin Film Devices and Technol., Key Lab. of Photo-electronic Thin Film Devices and ...) ,  LIU Wei (Inst. of Photo-electronic Thin Film Devices and Technol., Key Lab. of Photo-electronic Thin Film Devices and ...) ,  LI Boyan (Inst. of Photo-electronic Thin Film Devices and Technol., Key Lab. of Photo-electronic Thin Film Devices and ...) ,  SUN Yun (Inst. of Photo-electronic Thin Film Devices and Technol., Key Lab. of Photo-electronic Thin Film Devices and ...)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 24  ページ： 9747-9750  発行年： 2012年10月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu(In,Ga)Se₂(CIGS)薄膜をMo/ソーダ石灰ガラス基板上に500°Cの一定基板温度で同時蒸着した。膜の構造特性及び化学組成をX線回折計及びX線蛍光分光計により,それぞれ研究した。走査電子顕微鏡により,表面形態を研究した。一般的ではない三角島及び空洞を,膜のいくつかの平面上に観測した。三角島の平面は,Se原子で終端された(112)面であった。Seアドダイマーを核として,CIGS結晶粒からのCu拡散が,エピタキシャル三角島を生じた。三角空洞は,三角島の不十分な合体により形成された。三角島の成長は,大きな層状結晶粒及びギザギザの端部をもつコンパクトな表面を生じた。大きな層状結晶粒をもつ太陽電池の性能が改善されることが分かった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *セレン化物 ,  *銅化合物 ,  *太陽電池 ,  半導体薄膜 ,  ソーダ石灰ガラス ,  基板 ,  *同時蒸着 ,  化学組成 ,  X線回折 ,  蛍光X線分析 ,  *表面構造 ,  *島状構造 ,  化合物半導体 ,  エピタクシー
準シソーラス用語： *CIGS ,  *CIGS太陽電池

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 蒸着 ,  Cu ,  Ga ,  空洞