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J-GLOBAL ID：201202241061430193   整理番号：12A1261339

浮遊および過冷却半導体材料メルトの急速結晶化

Rapid Crystallization of Levitated and Undercooled Semiconducting Material Melts

著者 (3件)： ISHIBASHI Yusuke (Shibaura Inst. of Technol., Toyosu, Koto-ku, 135-8548, Tokyo, JPN) ,  KURIBAYASHI Kazuhiko (Shibaura Inst. of Technol., Toyosu, Koto-ku, 135-8548, Tokyo, JPN) ,  NAGAYAMA Katsuhisa (Shibaura Inst. of Technol., Toyosu, Koto-ku, 135-8548, Tokyo, JPN)
資料名： JOM  (JOM)
巻： 64  号： 9  ページ： 1102-1108  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： C0321A  ISSN： 1047-4838  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CO₂レーザ搭載電磁浮遊装置を用い,SiとGeの無容器結晶化を行なった。界面携帯のポイントから,成長速度と過冷却の相関を3領域に分類した。板状針状結晶領域Iとファセット樹枝状結晶領域IIでは結晶成長の形態が異なるが,2つの領域の成長速度は熱拡散率と潜熱の放出に起因する温度上昇により基本的に見積もられた。この結果は,成長速度は熱拡散の成果と成長速度により記述できることを意味した。樹枝状結晶の形態の解析から,領域IとIIにおける結晶成長速度は,2つの平行双晶の端に形成した凹角における二次元核形成により表されることが明らかになった。領域IIIでは,改良Wilson-Frenkelモデルにより記述される熱拡散律速界面付着速度で支配された。Copyright 2012 The Author(s) Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *結晶成長 ,  *半導体材料 ,  ケイ素 ,  ゲルマニウム ,  浮遊融解 ,  浮遊 ,  結晶化 ,  過冷却 ,  炭酸ガスレーザ ,  微細構造 ,  成長速度 ,  針状晶 ,  ファセット ,  樹枝状結晶 ,  温度伝導率 ,  潜熱 ,  結晶形態 ,  双晶 ,  核形成 ,  拡散律速 ,  その場観察 ,  高速度カメラ
準シソーラス用語： シリコン ,  電磁浮遊 ,  微細組織 ,  ファセット形成

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 浮遊 ,  過冷却 ,  半導体材料 ,  メルト ,  結晶化