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J-GLOBAL ID：201202241170557446   整理番号：12A0098695

ダイヤモンド様半導体Ag₂ZnSiS₄の結晶と電子バンド構造

The crystal and electronic band structure of the diamond-like semiconductor Ag₂ZnSiS₄

著者 (4件)： BRUNETTA Carl D. (Dep. of Chemistry and Biochemistry, Duquesne Univ., 600 Forbes Avenue, Pittsburgh, PA 15282, USA) ,  KARUPPANNAN Balamurugan (Dep. of Chemistry and Biochemistry, Duquesne Univ., 600 Forbes Avenue, Pittsburgh, PA 15282, USA) ,  ROSMUS Kimberly A. (Dep. of Chemistry and Biochemistry, Duquesne Univ., 600 Forbes Avenue, Pittsburgh, PA 15282, USA) ,  AITKEN Jennifer A. (Dep. of Chemistry and Biochemistry, Duquesne Univ., 600 Forbes Avenue, Pittsburgh, PA 15282, USA)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 516  ページ： 65-72  発行年： 2012年03月05日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しいダイヤモンド様半導体Ag₂ZnSiS₄単結晶を800°Cで高温固相合成により合成した。化合物は単斜晶,非中心対称性空間群Pnで結晶化し,a=6.4052(1),b=6.5484(1),c=7.9340(1)Å,β=90.455(1)°及びR1=2.42%。電子バンド構造と状態密度を密度汎関数理論(DFT)とフルポテンシャル線形化増強平面波(LAPW)法を用いてWien2Kプログラムで計算した。計算したバンド構造はAg₂ZnSiS₄がΓポイントで計算したバンドギャップが1.88eVの直接バンドギャップ半導体であることを示した。計算したAg₂ZnSiS₄の状態密度をAgGaS₂と比較した。光学的拡散反射スペクトルで実験的に求めたAg₂ZnSiS₄のバンドギャップは3.28eVであった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *硫化物 ,  *銀化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *ケイ素化合物 ,  *ダイヤモンド型結晶 ,  *バンド構造 ,  単結晶 ,  空間群 ,  結晶化 ,  格子定数 ,  状態密度 ,  密度汎関数法 ,  APW法 ,  バンドギャップ ,  *半導体 ,  固相反応 ,  銀 ,  亜鉛 ,  ケイ素 ,  硫黄 ,  *結晶構造
準シソーラス用語： フルポテンシャル線形増強平面波法 ,  *電子バンド構造 ,  *硫化銀亜鉛ケイ素

分類 (3件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  電子構造一般  (BM02010K)

タイトルに関連する用語 (3件)： ダイヤモンド ,  結晶 ,  電子バンド構造