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J-GLOBAL ID：201202241189639362   整理番号：12A0832666

高温安定性をもつ相変化メモリのための材料

Materials for phase-change memory with elevated temperature stability

著者 (4件)： KAO Kin-fu (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  CHU Yung-ching (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  TSAI Ming-jinn (Electronics & Optoelectronics Res. Laboratories, Industrial Technologies Res. Inst., Chutung 31000, Taiwan) ,  CHIN Tsung-shune (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Feng Chia Univ., Taichung 40724, Taiwan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 10  ページ： 102808-102808-6  発行年： 2012年05月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高温安定性は相変化メモリにおける一つの鍵となる。Ga-Te-Sb系に基づく新しい組成の開発によってそれに挑戦を試みた。結晶化温度(T_x)248°Cと非等温結晶化の活性化エネルギー5.9eVを示すGa₁₈Te₁₂Sb₇₀を利用して熱安定性を調べた。電気抵抗が元の半分に低下する故障時間を評価するために膜をT_xより5~30°低い温度で等温液漬した。対数故障時間対回帰温度を利用したArrheniusプロットの外挿により10年故障(T_10y)に対応する温度183°Cを得た。T_xより2~5°C低い温度への加熱における前期結晶化構造は少なくとも240°Cまで合金の安定な無定形相を反映する。Ga₁₈Te₁₂Sb₇₀から成るメモリセルは著者らのGe₂Sb₂Te₅セルの約66%の電流によって20~500nsでセット-リセット出来る。Ga_18-25Te_8-12Sb_67-70組成はT_x>240°C,T_10y>180°Cと低い作動電流を確保するために最適であることを暗示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  時間 ,  晶出温度 ,  結晶化 ,  活性化エネルギー ,  *熱安定性 ,  電気抵抗 ,  図化 ,  *アンチモン合金 ,  テルル含有合金 ,  ガリウム含有合金 ,  *PRAM【メモリ】
準シソーラス用語： Arrheniusプロット ,  温度安定性 ,  結晶化温度 ,  *相変化メモリ ,  非等温結晶化 ,  平均故障時間

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： 安定性 ,  相変化メモリ