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J-GLOBAL ID：201202241314421170   整理番号：12A0738970

量子サブバンド間光検出器の性能に及ぼす接触空間電荷の影響

Effects of contact space charge on the performance of quantum intersubband photodetectors

著者 (6件)： BARVE A. V. (Center for High Technol. Materials, Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of New Mexico, Albuquerque ...) ,  MEESALA S. (Center for Excellence in Nanoelectronics, Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai ...) ,  SENGUPTA S. (Center for Excellence in Nanoelectronics, Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai ...) ,  KIM J. O. (Center for High Technol. Materials, Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of New Mexico, Albuquerque ...) ,  CHAKRABARTI S. (Center for Excellence in Nanoelectronics, Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai ...) ,  KRISHNA S. (Center for High Technol. Materials, Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of New Mexico, Albuquerque ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 19  ページ： 191107-191107-4  発行年： 2012年05月07日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子サブバンド間素子の活性領域には高不均一性の電場が存在し,これは大量ドープした接触領域と非意図的にドープした障壁の間に形成されるPN接合の存在に主に起因する。実験と理論シミュレーションを組合せて,この不均一な内部電場が光検出器の動作に及ぼす影響を調べた。上部スペーサ,下部スペーサを持ち,活性領域の周りにスペーサを持たない三量子ドット-in-a-well(DWELL)光検出器を作製し,不均一電場の影響を実証した。ドリフト拡散に基づく電場計算は素子動作への洞察をさらに深める。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *光検出器 ,  *空間電荷 ,  *PN接合 ,  電場 ,  暗電流 ,  分布
準シソーラス用語： 電場分布 ,  内部電場

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 量子 ,  サブバンド ,  光検出器 ,  空間電荷