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J-GLOBAL ID：201202241382417504   整理番号：12A0723309

増強されたロバストな光起電技術用の部分的に不規則なフォトニック結晶薄膜

Partially disordered photonic-crystal thin films for enhanced and robust photovoltaics

著者 (6件)： OSKOOI Ardavan (Dep. of Electronic Sci. & Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 615-8510, JPN) ,  FAVUZZI Pedro A. (Dep. of Electronic Sci. & Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 615-8510, JPN) ,  TANAKA Yoshinori (Dep. of Electronic Sci. & Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 615-8510, JPN) ,  SHIGETA Hiroaki (Dep. of Electronic Sci. & Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 615-8510, JPN) ,  KAWAKAMI Yoichi (Dep. of Electronic Sci. & Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 615-8510, JPN) ,  NODA Susumu (Dep. of Electronic Sci. & Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 615-8510, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 18  ページ： 181110-181110-4  発行年： 2012年04月30日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 入射放射線の角度と偏光に対する感度が低く,光捕獲のための吸収率の高い,部分的に不規則なフォトニック結晶に基づく薄膜光起電技術を設計するための一般的枠組を示した。初期の周期構造を徐々に摂動して,種々の格子構造の吸収特性を調べた。多重格子フォトニック結晶中に制御可能に導入した最適不規則度は特徴的狭帯域,共鳴ピークを広げ,光起電力応用の典型的動作条件に対して理想的な増強されたロバストな性能を持つ素子が得られることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *光起電力 ,  *フォトニックバンドギャップ ,  光吸収 ,  ロバスト性 ,  吸収スペクトル ,  性質 ,  薄膜成長 ,  薄膜 ,  超格子 ,  *フォトニック結晶
準シソーラス用語： 超格子構造 ,  不規則性

分類 (1件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 増強 ,  ロバスト ,  フォトニック結晶 ,  薄膜