シンクロトロン放射光電子分光法によるAs<sub>50</sub>Se<sub>50</sub>ナノ層に関するレーザ誘起変化の研究

KONDRAT O.; POPOVICH N.; HOLOMB R.; MITSA V.; LYAMAYEV V.; TSUD N.; CHAB V.; MATOLIN V.; PRINCE K.c.; PRINCE K.c.

文献

J-GLOBAL ID：201202241504607628 整理番号：12A1311313

シンクロトロン放射光電子分光法によるAs₅₀Se₅₀ナノ層に関するレーザ誘起変化の研究

Laser induced changes of As₅₀Se₅₀ nanolayers studied by synchrotron radiation photoelectron spectroscopy

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著者 (10件)：

KONDRAT O.

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Thin Solid Films (Thin Solid Films)

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巻： 520 号： 24 ページ： 7224-7229 発行年： 2012年10月01日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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シンクロトロン放射光電子分光を用いて,As₅₀Se₅₀薄膜の構造に対する近バンドギャップレーザ照射の影響について調べた。照射試料のAs 3dおよびSe 3d発光ピークには,非照射アモルファス試料と比べて形状と位置に顕著な差異が存在した。As 3dおよびSe 3d内殻準位成分を曲線あてはめによって解析し,実験データの処理と定量化を行った。種々の化学的状態におけるAsおよびSe原子の全てのAs 3dおよびSe 3d信号に対する相対的寄与,構造的由来,および照射前後におけるAs₅₀Se₅₀ナノ層構造との関係などについて詳細に解析し論じた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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