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J-GLOBAL ID：201202241648514330   整理番号：12A0620036

Au(111)表面上の2,5-ジヒドロキシ安息香酸の電位依存吸着配置:in situ電気化学走査型トンネル顕微鏡法による研究

Potential Dependent Adsorption Geometry of 2,5-Dihydroxybenzoic Acid on a Au(111) Surface: An in Situ Electrochemical Scanning Tunneling Microscopy Study

著者 (5件)： DAI Pei-Xia (Inst. of Chemistry, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  DAI Pei-Xia (Graduate Univ., Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  CHEN Ting (Inst. of Chemistry, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  WANG Dong (Inst. of Chemistry, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  WAN Li-Jun (Inst. of Chemistry, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116  号： 10  ページ： 6208-6214  発行年： 2012年03月15日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Au(111)/0.1M過塩素酸水溶液界面における2,5-ジヒドロキシ安息香酸(DHB)の吸着について,サイクリックボルタンメトリー(CV)と電気化学走査型トンネル顕微鏡法(ECSTM)測定を用いて調べた。in situ ECSTMから,3種類の分子吸着層および電位に依存する構造遷移プロセスが明らかになった。0.55VにおいてAu(111)表面に相IおよびIIが共存し,基質電位が0.60Vまで増加すると,新たに相IIIが形成される。0.85Vで相IおよびIIIは消滅し,0.85V以上では相IIのみであった。それぞれの相におけるDHB分子の吸着配置を高分解能STMから推定した。相IのDHB分子は水平状態で物理吸着しており,相IIでは直立状態で電極に化学吸着している。また,相IIIで表面上においてDHBの水平物理吸着および垂直化学吸着が共存している場合に,IからIIへの遷移構造が形成された。それぞれの相は電位依存構造遷移プロセスが異なっていた。

シソーラス用語： *依存性 ,  物理吸着 ,  化学吸着 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  構造相転移 ,  過塩素酸 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  *吸着 ,  金電極 ,  芳香族カルボン酸 ,  多価フェノール ,  ヒドロキシ酸
準シソーラス用語： 吸着層 ,  構造転移 ,  *電位依存性 ,  *電気化学走査型トンネル顕微鏡

分類 (3件)： 固-液界面  (CB12050B) ,  酸化,還元  (CF02060T) ,  電極過程  (CB07040U)

物質索引 (1件)： 2,5-ジヒドロキシ安息香酸

タイトルに関連する用語 (6件)： Au ,  安息香酸 ,  電位 ,  吸着 ,  電気化学走査型トンネル顕微鏡 ,  研究