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J-GLOBAL ID：201202241695416290   整理番号：12A1215715

量子ドットベーススピン光電子デバイスにおける室温スピン緩和

Room Temperature Spin Relaxation in Quantum Dot Based Spin-Optoelectronic Devices

著者 (11件)： HOEPFNER Henning (Ruhr Univ. Bochum, Bochum, DEU) ,  LI Mingyuan (Ruhr Univ. Bochum, Bochum, DEU) ,  LUDWIG Arne (Ruhr Univ. Bochum, Bochum, DEU) ,  LUDWIG Astrid (Ruhr Univ. Bochum, Bochum, DEU) ,  STROMBERG Frank (Univ. Duisburg-Essen, Duisburg, DEU) ,  WENDE Heiko (Univ. Duisburg-Essen, Duisburg, DEU) ,  KEUNE Werner (Univ. Duisburg-Essen, Duisburg, DEU) ,  REUTER Dirk (Ruhr Univ. Bochum, Bochum, DEU) ,  WIECK Andreas D. (Ruhr Univ. Bochum, Bochum, DEU) ,  GERHARDT Nils C. (Ruhr Univ. Bochum, Bochum, DEU) ,  HOFMANN Martin R. (Ruhr Univ. Bochum, Bochum, DEU)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8260  ページ： 82600A.1-82600A.7  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピン光電子デバイスはここ数年興味ある研究分野となっている。この論文で著者らはスピン発光ダイオードへの電気的スピン注入を室温と残留磁気の両方において行い,スピン緩和長を決定した。測定されたスピン緩和長は26nmである。デバイスは面外残留磁化を有するFe/Tb多層スピン注入構造,効率的スピン注入のためのMgOトンネル障壁,InAs量子ドット発光ダイオード(LED)からなっている。基底状態放射と第1励起状態放射は共に残留磁気において円偏光放射を示し,円偏光度は注入パス長の増加と共に指数的に減少する。これは理論から予測されたドリフトベース輸送を指し示している。スピン注入効率の下限は25%と計算されたが,実際の注入効率はもっと高い。

シソーラス用語： *量子ドット ,  ヒ化インジウム ,  化合物半導体 ,  PIN接合 ,  強磁性体 ,  *残留磁化 ,  *注入 ,  *発光ダイオード ,  磁気緩和 ,  円偏光 ,  室温 ,  スピントロニクス ,  *エレクトロルミネセンス ,  赤外発光スペクトル
準シソーラス用語： *スピン注入 ,  *スピンLED ,  スピン緩和

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 量子ドット ,  スピン ,  光電子デバイス ,  室温 ,  スピン緩和