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J-GLOBAL ID：201202241715273688   整理番号：12A1524498

シリコンナノ多孔質ピラーアレイ上に成長させたカーボンナノファイバーの作製と電子電界放出

Fabrication and electron field-emission of carbon nanofibers grown on silicon nanoporous pillar array

著者 (6件)： WANG Haiyan (Dep. of Technological Physics, Zhengzhou Univ. of Light Ind., Zhengzhou 450002, CHN) ,  WANG Yongqiang (Dep. of Technological Physics, Zhengzhou Univ. of Light Ind., Zhengzhou 450002, CHN) ,  XUE Renzhong (Dep. of Technological Physics, Zhengzhou Univ. of Light Ind., Zhengzhou 450002, CHN) ,  KANG Liping (Dep. of Technological Physics, Zhengzhou Univ. of Light Ind., Zhengzhou 450002, CHN) ,  KANG Liping (Dep. of Physics and Lab. of Materials Physics, Zhengzhou Univ., Zhengzhou 450052, CHN) ,  LI Xinjian (Dep. of Physics and Lab. of Materials Physics, Zhengzhou Univ., Zhengzhou 450052, CHN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 261  ページ： 219-222  発行年： 2012年11月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ランダム配向のカーボンナノファイバ(CNFs)をシリコンナノ多孔質ピラーアレイ(Si-NPA)上に,熱化学気相蒸着(CVD)法により,アセチレン(C₂H₂)をカーボン前駆体とし,Niを触媒として成長させた。合成されたCNFは,主にコア-シェル構造の非晶質炭素および無秩序グラファイト層から成っていた。そして,絡み合ったCNFと規則的シリコンピラーアレイはナノメーター-ミクロン階層構造を形成した。CNF/Si-NPAの電子電界放出(FE)特性を測定し,低いターンオン電圧,高密度及び安定なFE電流,高反応係数が得られた。CNF/Si-NPAエミッタの顕著なFE特性は,CNFのランダム配向と欠陥,Si-NPA基板のアンジュレート表面に帰せられた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *多孔質体 ,  *ナノ構造 ,  *炭素繊維 ,  *熱CVD ,  薄膜成長 ,  階層構造 ,  *電界放出 ,  ウエハ【IC】 ,  エッチング ,  コアシェル構造
準シソーラス用語： *ナノピラー ,  *カーボンナノファイバ ,  Siウエハ

分類 (3件)： その他の紡糸・製糸  (YM03050G) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (8件)： シリコン ,  ナノ多孔質 ,  ピラーアレイ ,  成長 ,  カーボンナノファイバー ,  作製 ,  電子 ,  電界放出