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J-GLOBAL ID:201202241727169509   整理番号:12A0593591

多孔性n型ケイ素へのテルチオフェン誘導体の埋込みと電解重合

Embedding and electropolymerization of terthiophene derivatives in porous n-type silicon
著者 (7件):
資料名:
巻: 133  号: 2-3  ページ: 592-598  発行年: 2012年04月16日 
JST資料番号: E0934A  ISSN: 0254-0584  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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オプトエレクトロニクス用の新たな要素を実現するため,メソ多孔性n型ケイ素/ポリ(3′-酢酸-2,2′:5′,2′′-テルチオフェン)(ポリ(3TAA))複合材料を合成した。非酸化/酸化多孔性ケイ素基板を利用し,透過型電子顕微鏡(TEM),走査電子顕微鏡(SEM),Fourier変換赤外分光法(FTIR)などの種々の方法で,物理/化学特性を研究した。単量体の融点下,毛管によりテルチオフェンベース共役構造を孔内部へ組入れた。エネルギー分散X線分光分析(EDX)により,孔体積への単量体充填を調べた。偏光赤外吸収分光法結果では,単量体分子が水素結合,特にシラノールリッチ酸化多孔性ケイ素表面カルボキシル基の水素結合に因り,孔軸に沿って優先配向をとることを示した。多孔性ケイ素マトリックスに埋込まれた3TAA単量体分子をin situ電解重合させ,共鳴Raman散乱分光法で重合を証明した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (4件):
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無機化合物一般及び元素  ,  チオフェン  ,  電気化学反応  ,  単独重合 
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