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J-GLOBAL ID：201202241934461236   整理番号：12A1432427

1wt%の窒化アルミニウムと希土類酸化物で焼結した炭化ケイ素セラミックスの電気抵抗率

Electrical resistivity of silicon carbide ceramics sintered with 1wt% aluminum nitride and rare earth oxide

著者 (3件)： KIM Young-wook (Functional Ceramics Lab., Dep. of Materials Sci. and Engineering, The Univ. of Seoul, Seoul 130-743, KOR) ,  LIM Kwang-young (Functional Ceramics Lab., Dep. of Materials Sci. and Engineering, The Univ. of Seoul, Seoul 130-743, KOR) ,  KIM Kwang Joo (Dep. of Physics, Konkuk Univ., Seoul 143-701, KOR)
資料名： Journal of the European Ceramic Society  (Journal of the European Ceramic Society)
巻： 32  号： 16  ページ： 4427-4434  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： E0801B  ISSN： 0955-2219  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホットプレス液相焼結(LPS)-SiCの電気抵抗率に及ぼす添加物組成の影響を,モル比60:40でのAlN-RE₂O₃(RE=Sc,Nd,Eu,Gd,Ho,Er,Lu)を用いて調べた。全ての試片は,その場合成ナノサイズSiC中に5wt%理論密度の>95%の密度で焼結できることを見出した。7つのSiCセラミックスの内の六つは10^-4Ωcmのオーダーの非常に低い電気抵抗率を示した。この低い電気抵抗率は窒素ドープSiC粒の成長と接合部における非導電性RE含有相の閉じ込めによるものであった。AlN-Lu₂O₃とともに焼結したSiCセラミックスは,その低いキャリア密度(~10¹⁷cm^-3)によるかなり高い電気抵抗率(~10^-2Ωcm)を示し,これはファセット化した粒の成長とその結果のSiC粒間の弱い界面によるものであった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  窒化アルミニウム ,  希土類元素化合物 ,  酸化物 ,  *電気抵抗率 ,  *液相焼結
準シソーラス用語： 希土類元素酸化物

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 窒化アルミニウム ,  希土類酸化物 ,  焼結 ,  炭化ケイ素 ,  セラミックス ,  電気抵抗率