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J-GLOBAL ID：201202242556512583   整理番号：12A0610969

平坦化された局所下部ゲート電極を用いた多櫛形グラフェン量子容量バラクタの動作

Operation of multi-finger graphene quantum capacitance varactors using planarized local bottom gate electrodes

著者 (3件)： EBRISH M. A. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Minnesota-Twin Cities, 200 Union St., SE Minneapolis ...) ,  SHAO H. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Minnesota-Twin Cities, 200 Union St., SE Minneapolis ...) ,  KOESTER S. J. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Minnesota-Twin Cities, 200 Union St., SE Minneapolis ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 14  ページ： 143102-143102-4  発行年： 2012年04月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 平坦化された局所下部ゲート電極,HfO₂ゲート誘電体と大面積のグラフェンを用いて作製した多櫛形グラフェン量子容量バラクタの動作を述べた。ゲートバイアスの関数として,素子は,±2Vの電圧範囲にわたって,1.22-1の室温静電容量の調整範囲を示した。65mVの標準偏差のランダム電位変動を含めると,温度依存性の容量-電圧特性の優れた理論的適合性が得られた。結果は,無線センサ応用のためのグラフェン量子容量バラクタを実現するための最初のステップを表した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭素材 ,  櫛形 ,  *可変容量ダイオード ,  改変 ,  電極 ,  *酸化ハフニウム ,  酸化膜 ,  静電容量 ,  *容量電圧特性 ,  センサ ,  標準偏差 ,  不規則雑音 ,  *グラフェン ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： ゲート電極 ,  ゲート誘電体 ,  局所下部ゲート電極 ,  平坦化 ,  無線センサ ,  *量子容量バラクタ

分類 (1件)： その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 平坦化 ,  ゲート電極 ,  櫛形 ,  グラフェン ,  量子容量 ,  バラクタ