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J-GLOBAL ID：201202242612274828   整理番号：12A0256962

電界効果トランジスタ両性特性がある2層カーボンナノチューブの有効エネルギーギャップ

Effective energy gap of the double-walled carbon nanotubes with field effect transistors ambipolar characteristics

著者 (6件)： MORIMOTO Takahiro (Advanced Device Lab., Riken, 2-1, Hirosawa, Wako, Saitama 351-0198, JPN) ,  KUNO Akihiro (Advanced Device Lab., Riken, 2-1, Hirosawa, Wako, Saitama 351-0198, JPN) ,  YAJIMA Shota (Advanced Device Lab., Riken, 2-1, Hirosawa, Wako, Saitama 351-0198, JPN) ,  ISHIBASHI Koji (Advanced Device Lab., Riken, 2-1, Hirosawa, Wako, Saitama 351-0198, JPN) ,  TSUCHIYA Koji (Dep. of Applied Chemistry, Tokyo Univ. of Sci., 1-3, Kagurazaka, Shinjuku-ku, Tokyo 162-8601, JPN) ,  YAJIMA Hirofumi (Dep. of Applied Chemistry, Tokyo Univ. of Sci., 1-3, Kagurazaka, Shinjuku-ku, Tokyo 162-8601, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 4  ページ： 043107  発行年： 2012年01月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HfO₂が絶縁層の2層カーボンナノチューブ(DWCNT)電界効果トランジスタ(FET)素子の輸送特性を室温と4.2Kで調べた。これら素子はHfO₂絶縁体層を堆積した後,両性FET特性を見せた。両性挙動のオフ領域はそれらのDWCNT直径に明瞭に依存した。ゲート電圧とバイアス電圧の変換因子を低温のCoulombダイヤモンド測定から評価した。すべての素子に同じ素子構造と同じ寸法を使うと,これら閾値電圧のオフ領域は有効エネルギーギャップへ変換された。これらエネルギーギャップは理論予測と良く一致した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  カーボンナノチューブ ,  ナノ構造 ,  *エネルギーギャップ ,  酸化ハフニウム ,  直径 ,  電圧 ,  コンダクタンス ,  閾値 ,  N型半導体 ,  P型半導体 ,  *二層カーボンナノチューブ
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  バイアス電圧 ,  Coulombダイヤモンド

分類 (2件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電界効果トランジスタ ,  性特性 ,  2層カーボンナノチューブ ,  エネルギーギャップ