文献

J-GLOBAL ID：201202242617081750   整理番号：12A0916926

消耗部材劣化の影響を予測する半導体CMPプロセス制御

Semiconductor CMP Process Control Predicting Degradation Effect of Consumed Materials

著者 (2件)： 玉置研二 (日立 横浜研 生産技術研究セ) ,  金子俊一 (北大 大学院情報科学研究科)
資料名： 計測自動制御学会論文集  (Transactions of the Society of Instrument and Control Engineers)
巻： 48  号： 6  ページ： 326-334  発行年： 2012年06月30日 
JST資料番号： S0104A  ISSN： 0453-4654  CODEN： KJSRA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本論文は,半導体デバイス製造工程の一つであるCMP工程の研磨レートを,装置の消耗部材であるドレッサとパッドの使用時間から連続的に予測するモデルを構築し,研磨量を制御する手法を提案した。提案手法は,予測モデルの形態にマルチレベルモデルを採用し,2種類の消耗部材劣化の干渉に起因する個体間モデルを組み込んだ。未知パラメータを条件とした予測誤差の確率分布に関して階層ベイズモデルを構築し,MCMC法により事後分布からのサンプリングシミュレーションを行い,その点推定値から個体差パラメータを同定する手法とした。製造ラインからの実データに基づくシミュレーションによって,研磨量制御の精度を評価し,提案手法の有効性を検証した。

シソーラス用語： 製造 ,  *半導体素子 ,  *化学研磨 ,  *プロセス制御 ,  経時変化 ,  機構部品 ,  予測モデル ,  予測誤差 ,  モデル ,  モンテカルロ法 ,  確率分布 ,  *化学機械研磨 ,  事後分布 ,  *機械工作
準シソーラス用語： *CMP【化学研磨】 ,  MCMC法 ,  階層Bayesモデル ,  *半導体デバイス製造

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プロセス制御  (IC03040B)

引用文献 (17件)：

• 1) M. Quirk and J. Serda: Semiconductor Manufacturing Technology, Prentice Hall (2000)
• 2) International technology roadmap for semiconductors, 2010 update, overview, http://www.itrs.net/Links/2010ITRS/2010Update/ToPost/2010_Update_Overview.pdf (2010)
• 3) C.J. Spanos: Statistical process control in semiconductor manufacturing, Proc. IEEE, 80-6, 819/830 (1992)
• 4) J. Moyne, E. Castillo and A.M. Hurwitz: Run-to-Run Control in Semiconductor Manufacturing, CRC Press (2000)
• 5) 川村,仁科,東出,嶋津:半導体ウエーハ処理工程におけるSPCとAPCの融合,品質,38-3, 385/393 (2008)

タイトルに関連する用語 (4件)： 消耗 ,  予測 ,  CMP ,  プロセス制御