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J-GLOBAL ID：201202242778339650   整理番号：12A0185137

平行磁場二層グラフェンの磁気抵抗効果

Magnetoresistance of Bilayer Graphene in Parallel Magnetic Fields

著者 (2件)： WAKABAYASHI Junichi (Chuo Univ., Tokyo, JPN) ,  SANO Kazuya (Chuo Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Journal of the Physical Society of Japan  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 81  号： 1  ページ： 013702.1-013702.4  発行年： 2012年01月15日 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 以前に報告された単層グラフェンの結果と比較するため平行磁場における二層グラフェンの磁気抵抗効果を測った。 磁気抵抗効果が3つの成分から成ることが明らかになった。電荷中立点(CNP)の周辺で電荷不均一性(電子-正孔ごたごた)による正の磁気抵抗効果は,有意に貢献し, CNPから離れた高キャリア密度で消えることが分かった。全キャリア密度で観察される負の磁気抵抗効果は,リップルと平行磁場から起こる弱い局在化と,垂直成分[δB⊥(r) ]によると考えられる。δB⊥(r)のランダム分布による正の磁気抵抗効果は,単層グラフェンで観察した放物線状依存と対照的に弱い磁場依存を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 磁場 ,  *グラファイト ,  *磁気抵抗 ,  電荷 ,  不均一系 ,  キャリア密度 ,  局在状態 ,  電子 ,  正孔 ,  放物線 ,  依存性 ,  二層グラフェン

分類 (1件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (2件)： 二層グラフェン ,  磁気抵抗効果