スケール変換したカーボンナノチューブアレイ電界効果トランジスタの高周波性能

STEINER Mathias; ENGEL Michael; LIN Yu-ming; WU Yanqing; JENKINS Keith; FARMER Damon B.; HUMES Jefford J.; YODER Nathan L.; SEO Jung-woo T.; GREEN Alexander A.; HERSAM Mark C.; KRUPKE Ralph; AVOURIS Phaedon

文献

J-GLOBAL ID：201202243177630931 整理番号：12A1115364

スケール変換したカーボンナノチューブアレイ電界効果トランジスタの高周波性能

High-frequency performance of scaled carbon nanotube array field-effect transistors

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著者 (13件)：

STEINER Mathias

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ENGEL Michael

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LIN Yu-ming

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WU Yanqing

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JENKINS Keith

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資料名：

Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

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巻： 101 号： 5 ページ： 053123-053123-4 発行年： 2012年07月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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完全にスケール変換可能な素子プラットフォーム上で高度に分離した半導性カーボンナノチューブのそろった集団を通して実現したカーボンナノチューブアレイトランジスタの高周波性能を報告する。100nmのゲート長で,出力電流が飽和するのが観測され,測定されたように,各々,7GHzと15GHzの外因性電流利得及び電力利得遮断周波数を得た。外因性電流利得は最新のものとほぼ同じだが,外因性電力利得は改善されている。153GHzと30GHzの脱埋込みの内因性電流利得と電力利得遮断周波数が現在まで実現された最も高い実験値である。DCとACの性能パラメータの無矛盾性を分析し,高周波エレクトロニクスにおいてカーボンナノチューブアレイトランジスタの将来応用するときの必要条件を論じた。(翻訳著者抄録)

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