文献

J-GLOBAL ID：201202243195159910   整理番号：12A0248643

水素過剰条件下でのAIN極性表面の再構成

Reconstructions on AlN Polar Surfaces under Hydrogen Rich Conditions

著者 (4件)： AKIYAMA Toru (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  OBARA Daisuke (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  NAKAMURA Kohji (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  ITO Tomonori (Mie Univ., Tsu, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 1,Issue 1  ページ： 018011.1-018001.2  発行年： 2012年01月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理擬似ポテンシャル計算を実行することで,水素過剰条件下でのAIN(001),及び,(0001)面の構造,及び,安定性について理論的に調査した。算出された表面エネルギーから,構成元素の化学ポテンシャルに基づいて,いくつかの水素含有構造が安定化することが実証された。算出された吸収エネルギーと気相化学ポテンシャルとの比較により得られた表面相図を用いて,高H2圧力下であっても,H原子は,AlN(0001)表面から脱着する傾向があることを発見した。一方,AlN(0001)表面上のN-H結合は,広範囲の成長条件に渡って優勢であることが分かった。以上の結果は,AlN(0001)表面上の成長プロセスは,温度と圧力の様な成長条件によって変えられることを示唆している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ポテンシャル ,  *窒化アルミニウム ,  化合物半導体 ,  *極性 ,  *表面再構成 ,  安定性 ,  表面エネルギー ,  化学ポテンシャル ,  構造 ,  *水素 ,  *状態図
準シソーラス用語： 擬似ポテンシャル ,  水素含有構造 ,  *表面状態図

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

引用文献 (21件)：

• 1) H. Morkoc: Nitride Semiconductors and Devices (Springer, Berlin, 1999).
• 2) M. A. L. Johnson et al.: J. Vac. Sci. Technol. B 14 (1996) 2349.
• 3) C. D. Lee et al.: Phys. Rev. B 68 (2003) 205317.
• 4) S. Dasgupta et al.: Appl. Phys. Lett. 94 (2009) 151906.
• 5) Y. Ohba et al.: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L1565.

タイトルに関連する用語 (4件)： 水素 ,  AIN ,  極性 ,  再構成