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J-GLOBAL ID：201202243222572239   整理番号：12A0899429

メモリスタの2世紀

Two centuries of memristors

著者 (3件)： PRODROMAKIS Themistoklis (Imperial Coll. London, London, GBR) ,  TOUMAZOU Christofer (Imperial Coll. London, London, GBR) ,  CHUA Leon (Univ. California, California, USA)
資料名： Nature Materials  (Nature Materials)
巻： 11  号： 6  ページ： 478-481  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： W1364A  ISSN： 1476-1122  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電流量により変化した抵抗値を保持するメモリスタの記憶素子への応用が期待されている。ナノスケールのメモリスタは理論的予想の約40年後に実現され,応用の可能性が議論されている。本解説では,メモリスタの有する特徴的性質を歴史的観点から述べた。1938年に報告されたガス放電電球の容量のレジスター的挙動は現在のTiO₂と類似していることを説明した。また,1899年に報告された電気アークのヒッシングとの類似性を紹介した。さらに,現在のナノスケールAg₂Sに見られる抵抗スイッチング現象は,1833年にファラデーが行った光照射下のAg₂Sの特性評価の結果に対する記述と同様であることを説明した。メモリスタの特性は古くから観測されていたことを述べた。

シソーラス用語： 回路部品 ,  *固体素子 ,  *記録材料 ,  エレクトロセラミック ,  科学史 ,  酸化チタン ,  硫化銀 ,  スイッチング ,  非線形効果
準シソーラス用語： メムリスタ ,  *抵抗記憶素子

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (1件)： メモリスタ