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J-GLOBAL ID：201202243371626783   整理番号：12A1065750

遷移金属アルミナイドのSTM画像中の化学的コントラスト

Chemical contrast in STM imaging of transition metal aluminides

著者 (4件)： DUGUET T. (CIRIMAT - Univ. de Toulouse, and CNRS, 4 allee Emile Monso, BP44362, 31430 Toulouse Cedex 4, FRA) ,  THIEL P.a. (Ames Lab. - US Dep. of Energy, Iowa State Univ., Ames, IA 50011, USA) ,  THIEL P.a. (Dep. of Chemistry, Iowa State Univ., Ames, IA 50011, USA) ,  THIEL P.a. (Dep. of Materials Sciences & Engineering, Iowa State Univ., Ames, IA 50011, USA)
資料名： Progress in Surface Science  (Progress in Surface Science)
巻： 87  号： 5-8  ページ： 47-62  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： D0310B  ISSN： 0079-6816  CODEN： PSSFBP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿は,遷移金属(TM)のアルミナイド表面の最近の走査型トンネル電子顕微鏡法(STM)による研究を概説する。STM画像中のAl原子とTM原子の間のコントラストに一般的な視点を与える。その傾向は,表面のTM原子,又はTMに富む領域の大きなバイアス依存性である。この依存性は,局所化学的配列と環境によって希釈される。Al原子は,周辺の表面下などの化学環境が多くのTMによって満たされるとき,強いバイアス依存性を示す。これは,STMの結果と電子構造と結晶構造の理論と実験的定量の組み合わせからうまく説明される。STMプローブはフェルミ面を調べるので,フェルミレベルの近傍での電子構造(E_F)が,コントラストとバイアス依存性の理解に必須である。局所状態密度は,TM d-バンド位置と幅,s-p-d混成,又は相互作用,あるいは成分元素の間の電荷移動についての情報を与える。また,STM画像シミュレーションにおける最近の開発は,表面が多くの無秩序を示さないとき,Al-TM合金表面での化学的コントラストの解明に非常に興味深い。筆者らは,全体として,これらの表面で化学的に特異な画像が可能であることを示す。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *走査型トンネル顕微鏡 ,  *アルミニウム化合物 ,  *アルミニウム含有合金 ,  *遷移金属合金 ,  バンド構造 ,  電子構造 ,  結晶構造 ,  状態密度 ,  Fermi面 ,  *コントラスト ,  *表面構造
準シソーラス用語： *アルミナイド ,  局所状態密度

分類 (1件)： 金属の表面構造  (BK15020P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 遷移金属 ,  アルミナイド ,  STM ,  化学 ,  コントラスト