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J-GLOBAL ID：201202243376569311   整理番号：12A0495427

バイオセンサへの応用を目指して形成した人工感知膜を用いた高性能のイオン感応性電界効果トランジスタの作製

Fabrication of High Performance Ion-Sensitive Field-Effect Transistors Using an Engineered Sensing Membrane for Bio-Sensor Application

著者 (2件)： JANG Hyun-June (Kwangwoon Univ., Seoul, KOR) ,  CHO Won-Ju (Kwangwoon Univ., Seoul, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 2,Issue 2  ページ： 02BL05.1-02BL05.4  発行年： 2012年02月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン感応性電界効果トランジスタ(ISFET)の電気的特性と化学的安定性を改善するために,積層ハイ-k誘電体を用いて作製したSiO₂/HfO₂/Al₂O₃(OHA)層から成る人工の感知薄膜を提案する。OHA層の感知特性を,SiO₂/HfO₂(OH)およびSiO₂/Al₂O₃(OA)層の感知特性と比較した。結果として,金属-酸化物-半導体から成る電界効果トランジスタ(MOSFET)のゲート絶縁体として働くOHA層は,1.05×10¹⁰という高いオン/オフ電流比と62mV/ディケードという低いサブスレショウルドスイングを持つことが分かった。また,ISFETから成るpHセンサとしては,57.1mV/pHという優れたpH感度,0.23mV/hという小さなドリフト速度,そして1.85mVという低いヒステリシス電圧を持つことが分かった。この大幅な特性の改善は,三重積層構造を持つ人工感知層の明確なバンド構造によって説明される。OHAから成る感知膜は信号/雑音比の改善されたバイオーセンサへの応用が期待される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  *バイオセンサ ,  膜 ,  誘電体薄膜 ,  二酸化ケイ素 ,  酸化ハフニウム ,  酸化アルミニウム ,  *MOSFET ,  *pHセンサ ,  バンド構造 ,  SN比
準シソーラス用語： high-k膜 ,  イオン感応性FET ,  イオン感応性電界効果トランジスター

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A)

引用文献 (15件)：

• 1) M. W. Shinwari, M. J. Deen, and D. Landheer: Microelectron. Reliab. 47 (2007) 2025.
• 2) P. Bergveld: Sens. Actuators B 88 (2003) 1.
• 3) P. Estrela and P. Migliorato: J. Mater. Chem. 17 (2007) 219.
• 4) J. C. Chou and C. Y. Weng: Mater. Chem. Phys. 71 (2001) 120.
• 5) T. Pan and K. Liao: Sens. Actuators B 133 (2008) 97.

タイトルに関連する用語 (7件)： バイオセンサ ,  応用 ,  人工 ,  感知 ,  高性能 ,  イオン感応性電界効果トランジスタ ,  作製