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J-GLOBAL ID：201202243379450404   整理番号：12A1023630

高インピーダンス表面での超薄吸収体の解析と増強

Analysis and enhancement of the bandwidth of ultrathin absorbers based on high-impedance surfaces

著者 (4件)： PANG Yongqiang (National Univ. Defense Technol., Changsha, CHN) ,  CHENG Haifeng (National Univ. Defense Technol., Changsha, CHN) ,  ZHOU Yongjiang (National Univ. Defense Technol., Changsha, CHN) ,  WANG Jun (National Univ. Defense Technol., Changsha, CHN)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 45  号： 21  ページ： 215104,1-5  発行年： 2012年05月30日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高インピーダンス表面での超薄吸収体の作用メカニズムが等価回路モデルで理解される。考えられた吸収体は電気的に薄い接地誘電基板に対してパッチ配列で構成される。超薄吸収体がλ/4の厚さの吸収体の低周波数ケースと考えられることが示される。従来の超薄吸収体のバンド幅を広げるために,筆者らはデュアルバンドおよびトリプルバンド超薄吸収体を設計するために1単位格子で異なるスケールの要素をもつ配列を使用し,それから広帯域吸収が互いに近接したこれらの吸収バンドを同調させて得ることができる。最終的に,実験結果が設計された広帯域超薄吸収体を確認するために提示される。

シソーラス用語： *吸収体 ,  超薄膜 ,  *インピーダンス ,  *帯域幅 ,  吸収バンド ,  人工材料 ,  周波数帯
準シソーラス用語： デュアルバンド ,  バンド幅 ,  メタ材料 ,  超薄吸収体

分類 (1件)： 雑音一般  (ND04010J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高インピーダンス ,  吸収体 ,  解析 ,  増強