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J-GLOBAL ID：201202243479625783   整理番号：12A0524625

レーザー分子線エピタキシーによってMgO基板上に堆積したNaCl型立方晶系AlN膜の表面変化

Surface evolution of NaCl-type cubic AlN films on MgO (100) substrates deposited by laser molecular beam epitaxy

著者 (5件)： FU Yuechun (Key Lab. of New Processing Technol. for Materials and Nonferrous Metal, Ministry of Education, Coll. of Materials ...) ,  ZHANG Yao (Key Lab. of New Processing Technol. for Materials and Nonferrous Metal, Ministry of Education, Coll. of Materials ...) ,  YANG Weijia (Key Lab. of New Processing Technol. for Materials and Nonferrous Metal, Ministry of Education, Coll. of Materials ...) ,  HE Huan (Key Lab. of New Processing Technol. for Materials and Nonferrous Metal, Ministry of Education, Coll. of Materials ...) ,  SHEN Xiaoming (Key Lab. of New Processing Technol. for Materials and Nonferrous Metal, Ministry of Education, Coll. of Materials ...)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 343  号： 1  ページ： 28-32  発行年： 2012年03月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： レーザー分子線エピタキシー(LMBE)法によって,高配向性のNaCl型立方晶系AlN(c-AlN)膜をMgO(100)基板上に堆積するのに成功した。そして,膜表面の時間に依存した変化を特性化した。トポグラフィー像と粗さの解析に基づくと,c-AlN表面は,Stranski-Krastanov成長モードを示していた。初期段階では,AlN吸着原子は,基板ステップに沿って安定化しようとし,表面が少し粗くなるようになった。続いて起こる堆積では,波状の表面が発生し,三次元的な島状の核生成と早期成長が観測された。島状成長時において,急速に粗さが増し,島の上面では,大きくて深い間隙が著しくなった。1.06nmの粗さを有する滑らかな表面が,島の分散と合体によって,成長時間2時間で得られた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MBE成長 ,  基板 ,  酸化マグネシウム ,  立方晶系 ,  *窒化アルミニウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  Stranski-Krastanov成長 ,  島状構造 ,  表面ステップ ,  *表面粗さ
準シソーラス用語： *レーザMBE成長

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： レーザー分子線エピタキシー ,  MgO ,  堆積 ,  NaCl ,  立方晶系 ,  AlN