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J-GLOBAL ID：201202243644633001   整理番号：12A0757582

SiO₂上で高い電界効果移動度を有する自己封入されたポリ(3-ヘキシルチオフェン)-ポリ(フッ素化アルキルメタクリレート)ロッド-コイルブロック共重合体

Self Encapsulated Poly(3-hexylthiophene)-poly(fluorinated alkyl methacrylate) Rod-Coil Block Copolymers with High Field Effect Mobilities on Bare SiO₂

著者 (6件)： LIU Junying (Carnegie Mellon Univ., PA, USA) ,  HAYNES Dahlia (Carnegie Mellon Univ., PA, USA) ,  BALLIET Courtney (Carnegie Mellon Univ., PA, USA) ,  ZHANG Rui (Carnegie Mellon Univ., PA, USA) ,  KOWALEWSKI Tomasz (Carnegie Mellon Univ., PA, USA) ,  MCCULLOUGH Richard D. (Carnegie Mellon Univ., PA, USA)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 22  号： 5  ページ： 1024-1032  発行年： 2012年03月07日 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 共役ロッドーコイルブロック高分子を用いることで,多様な機能性を持つ高分子材料の作製が可能である。本研究では,ポリ(3-ヘキシルチオフェン)-ポリ(フッ素化アルキルメタクリレート)(P3HT-b-PFMAs)ロッド-コイルブロック高分子を合成し,ドロップキャスティング法によりSi基板上に薄膜を形成した。AFM観察,吸収スペクトル,GIWAXSとGISAXSによる構造評価,疎水性,4端子法による電気伝導度の測定を行うと共に,ボトムゲート型電界効果トランジスターを作製して評価した。P3HT-b-PFMA薄膜は,ポストアニール無しで,これまでの最高値である0.12cm²V^-1s^-1と高いキャリア移動度を示した。得られた高い疎水性および電気特性と膜構造との関係を明らかにした。

シソーラス用語： 機能性高分子 ,  *高分子半導体 ,  ジブロック共重合体 ,  *ポリヘキシルチオフェン ,  *フッ素化重合体 ,  ポリメタクリル酸エステル ,  棒 ,  螺旋 ,  超分子 ,  立体構造 ,  キャリア移動度 ,  製膜 ,  高分子膜 ,  薄膜

分類 (3件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (9件)： SiO2 ,  電界効果移動度 ,  自己 ,  封入 ,  3-ヘキシルチオフェン ,  フッ素化アルキル ,  メタクリレート ,  ロッド ,  ブロック共重合体