遷移金属二カルコゲン化物の電子構造に及ぼす厚みと歪の影響: 2H-MX<sub>2</sub>半導体(M=Mo,W;X=S,Se,Te)

YUN Won Seok; YUN Won Seok; HAN S. W.; HONG Soon Cheol; KIM In Gee; LEE J. D.

文献

J-GLOBAL ID：201202243694155380 整理番号：12A0535744

遷移金属二カルコゲン化物の電子構造に及ぼす厚みと歪の影響: 2H-MX₂半導体(M=Mo,W;X=S,Se,Te)

Thickness and strain effects on electronic structures of transition metal dichalcogenides: 2H-MX₂ semiconductors (M=Mo, W; X=S, Se, Te)

出版者サイト複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=12A0535744&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0746A") }}

著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 85 号： 3 ページ： 033305.1-0033305.5 発行年： 2012年01月
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

, , , , , ,
,

半導体結晶の電子構造

, , , , ,

前のページに戻る

遷移金属二カルコゲン化物の電子構造に及ぼす厚みと歪の影響: 2H-MX2半導体(M=Mo,W;X=S,Se,Te)

遷移金属二カルコゲン化物の電子構造に及ぼす厚みと歪の影響: 2H-MX₂半導体(M=Mo,W;X=S,Se,Te)