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J-GLOBAL ID：201202243733776592   整理番号：12A0871086

表面不動態化ZnO薄膜とナノロッドアレイによるナノ構造EGFET pHセンサ

Nanostructured EGFET pH Sensors With Surface-Passivated ZnO Thin-Film and Nanorod Array

著者 (3件)： CHIU Ying-Shuo (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  TSENG Chun-Yen (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  LEE Ching-Ting (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名： IEEE Sensors Journal  (IEEE Sensors Journal)
巻： 12  号： 5-6  ページ： 930-934  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： W1318A  ISSN： 1530-437X  CODEN： ISJEAZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 蒸気冷却法と陽極アルミナ膜(AAM)テンプレートの組合せを用い,拡大ゲート(EG)FET pHセンサの検出膜,真性酸化亜鉛(iZnO)薄膜,及びナノロッドアレイ(NRA)を作製し,光電気化学(PEC)法を用いてZnO薄膜とZnO NRA側壁の表面を不動態化してFermi準位ピニング効果を抑制したpHセンサを開発した。表面不動態化によって表面状態密度を低減でき,検出能を約5.6mV/pH改善できた。

シソーラス用語： *pHセンサ ,  ゲート【半導体】 ,  MOSFET ,  高感度 ,  光電気化学反応 ,  電気特性 ,  電気測定 ,  ナノ構造 ,  Fermi準位 ,  ピン止め
準シソーラス用語： ナノロッドアレイ ,  界面状態密度 ,  検出能 ,  酸化亜鉛薄膜 ,  蒸気冷却 ,  表面不動態化

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 表面不動態化 ,  ZnO薄膜 ,  ナノロッドアレイ ,  ナノ構造 ,  pHセンサ