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J-GLOBAL ID：201202243754669745   整理番号：12A1639699

輝度変調信号光注入による単一モード半導体レーザの帯域幅改善動作

Bandwidth Enhanced Operation of Single Mode Semiconductor Laser by Intensity Modulated Signal Light Injection

著者 (4件)： ISHIHARA Hiroki (Res. Inst. of Electrical Communication, RIEC, Tohoku Univ.) ,  SAITO Yosuke (Res. Inst. of Electrical Communication, RIEC, Tohoku Univ.) ,  KOBAYASHI Wataru (NTT Photonics Laboratories, NTT Corp.) ,  YASAKA Hiroshi (Res. Inst. of Electrical Communication, RIEC, Tohoku Univ.)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)  (IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E95-C  号： 9  ページ： 1549-1551 (J-STAGE)  発行年： 2012年 
JST資料番号： L1370A  ISSN： 0916-8524  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 輝度変調信号光注入により動作するときに,単一モード半導体レーザの3dB帯域幅改善を数値的および実験的に確認した。3dB帯域幅は,共振周波数の2.5倍の拡大である。レート方程式の数値解析は,この帯域幅改善は,非線形利得係数項を通して注入される輝度変調信号光を備えた半導体レーザのモード利得制御により達成されることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *帯域幅 ,  光変調 ,  *単一モード ,  *半導体レーザ ,  共振周波数 ,  係数 ,  制御
準シソーラス用語： モード制御 ,  輝度変調 ,  非線形 ,  利得係数

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (4件)：

• MILLER, D. A. B. Device requirements for optical interconnects to silicon chips. Proc. IEEE. 2009, 97, 1166-1185
• YASAKA, H. Measurement of gain saturation coefficient of a DFB laser for lasing mode control by orthogonal polarization light. IEEE J. Quantum Electron. 1991, 27, 10, 2248-2255
• YASAKA, H. Finely tunable wavelength conversion of high bit-rate signals by using a superstructure-grating distributed Bragg reflector laser. J. Lightwave Technol. 1997, 15, 2, 334-341
• IGA, K. Modulation limit of semiconductor lasers by some parametric modulation schemes. IEICE Trans. 1985, E68, 7, 417-420

タイトルに関連する用語 (5件)： 輝度変調 ,  光注入 ,  単一モード ,  半導体レーザ ,  帯域幅