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J-GLOBAL ID：201202243870831606   整理番号：12A1485893

RFストレス試験とDCストレス試験中のAlGaN/GaN HEMTにおけるトラップの生成

Generation of traps in AlGaN/GaN HEMTs during RF- and DC-stress test

著者 (9件)： CAESAR M. (Fraunhofer Inst. Applied Solid-State Physics, Freiburg, DEU) ,  DAMMANN M. (Fraunhofer Inst. Applied Solid-State Physics, Freiburg, DEU) ,  POLYAKOV V. (Fraunhofer Inst. Applied Solid-State Physics, Freiburg, DEU) ,  WALTEREIT P. (Fraunhofer Inst. Applied Solid-State Physics, Freiburg, DEU) ,  BRONNER W. (Fraunhofer Inst. Applied Solid-State Physics, Freiburg, DEU) ,  BAEUMLER M. (Fraunhofer Inst. Applied Solid-State Physics, Freiburg, DEU) ,  QUAY R. (Fraunhofer Inst. Applied Solid-State Physics, Freiburg, DEU) ,  MIKULLA M. (Fraunhofer Inst. Applied Solid-State Physics, Freiburg, DEU) ,  AMBACHER O. (Fraunhofer Inst. Applied Solid-State Physics, Freiburg, DEU)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2012 Vol.2  ページ： 674-678  発行年： 2012年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ストレス前後の静特性と過渡特性を比較することで,AlGaN/GaN HEMTに及ぼすRFストレス(10GHz)とDCストレスについて検討した。両試験で閾値電圧が負の方に著しく移動することを見出した。Idトラッピング解析中に,0.44eVの欠陥レベルを検出した。欠陥領域がゲート領域のいたるところに拡張することを示した。トラップ密度の定量的近似により,約10¹⁸cm^-3の濃度でトラップが障壁層へ進展することを示した。

シソーラス用語： *HEMT ,  アルミニウム化合物 ,  窒化ガリウム ,  密度 ,  電力増幅器 ,  負荷試験 ,  信頼性 ,  静特性 ,  過渡応答 ,  ゲート【半導体】 ,  電流電圧特性 ,  *電子 ,  *捕獲 ,  相互コンダクタンス
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  ストレス試験 ,  *トラップ【固体】 ,  トラップ密度 ,  過渡特性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： RF ,  ストレス試験 ,  DC ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  トラップ